九(半导体二极管和三极管).pptVIP

9.1 半导体的导电特性 1、本征半导体 B(基极) N N P 发射区 基区 集电区 集电结 发射结 (发射极)E C(集电极) N N P B E C C E B 1、基本结构（NPN） 返回 B(基极) P P N 发射区 基区 集电区 集电结 发射结 (发射极)E C(集电极) P P N B E C C E B 1、基本结构（PNP） 返回 2、电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 共发射极接法 返回 共发射极接法：晶体管接成两个电路，基极电路和集 电极电路，其中发射极是公共端。 注：三极管要起放大作用(NPN型时) 发射结必正偏，集电结必反偏。 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 返回 发射结正偏 发射区的电子向基区发射 形成发射极电流IE 1、发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 IE由扩散运动形成 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 2、电子在基区中有复合现象，形成基极电流IB 部分到达基区的电子，被EB拉走，与空穴发生复合现象 形成稳定的基极电流IB IB由复合运动形成 返回 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 3、集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 集电区收集从基区飘移过来的电子 形成集电极电流IC IC由飘移运动形成 返回 RB EC + + _ _ EB E B C IC IB IE 返回 N N P 各电流方向： 当三极管为PNP型时，要起放大作用，EB和EC要反接。 发射结正偏，集电结反偏 即： 三极管电流测量数据(NPN) IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 返回 实验及测量结果可得出如下结论： IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律； IE≈IC，且IC、IE比IB 大的多； ΔIC比ΔIB大的多； 当IB=0（将基极开路）时， IE=IC0.001mA。 返回 电流放大 静态电流放大系数 动态电流放大系数 即： 基极 高电平 集电极和发射极间短路 基极 低电平 集电极和发射极间开路 控制电路开断 3、特性曲线 用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。 以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。 返回 μA mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E V + _ + _ UBE UCE C (1)输入特性曲线 死区电压： 硅管：0.5伏左右 锗管：0.1伏左右 正常工作时，发射结的压降： NPN型硅管UBE=0.6~0.7V PNP型锗管UBE=-0.2~-0.3V 0 0.4 0.8 UBE/V IB/μA 80 60 40 20 UCE1 返回 定义：当集-射极电压UCE为常数时，输入电路（基极电路）中基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。 输入特性曲线 UCE1，满足三极管工作于电流放大作用的前提：发射结正偏、集电结反偏。 小结 (1) 硅管UBE=0.6-0.7V (2) 锗管UBE=0.2-0.3V (3) NPN型三极管要处于放大状态，则： 发射结正偏、集电结反偏 UBE0 UBUE UCB0 UCUB UCUBUE (4) PNP型三极管要处于放大状态，则： 发射结正偏、集电结反偏 UBE0 UBUE UCB0 UCUB UEUBUC 返回 例5：由如下三极管三个极的电压值，判断以下三极管的组成材料和类型，并标出发射极电流方向。 11.3V 12V 0V 12V 0V 12.2V 12V 15V 11.8V 返回 硅管 锗管 锗管 B B B E E E C C C NPN PNP PNP 例6：p266，9.4.8 不同的IB值，对应不同的输出曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 UCE/V 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20μA IB=0 0 2 返回 (2)输出特性曲线 定义：当基极电流IB为常数时，输出电路（集电极电路）中集电极电流IC与集-射极电压U