（SiC）P表面低成本化学改性的研究.pdfVIP

维普资讯 (SiC)P表面低成本化学改性的研究 宿辉 ，王桂芳 ，栾风虎 ，胡胜鹏 (1．黑龙江工程学院材料与化学工程系，黑龙江 哈尔滨 150050； 2．哈尔滨工程大学材料科学与工程系，黑龙江 哈尔滨 150001) [摘 要] 为解决裸 (SiC)在应用中存在的不足 ，提出(SiC)表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术，改进氧 化、亲水、敏化和活化的前处理工艺，对(sic)进行表面化学改性。确定了最佳的试验工艺，获得 了镀层连续、无光滑 (SiC)裸露的 较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni／SiC)]，通过 SEM、EDS、XRD、TEM等测试，结果表 明：改性后的(Ni／SiC)较改性前的 (SiC)导电性有所提高，形貌、组成发生改变。同时分析了热处理对(Ni／SiC) 的影响，钴果表明：随着温度的升高，(Ni／SiC)表面 改性层中的镍 由非晶态转化为晶态。 [关键词] (SiC)；碳化硅复合粉体；表面改性；化学镀 ；热处理 [中图分类号]TQ153．3 [文献标识码]A