靶电流对非平衡磁控溅射制备无氢碳膜结构与性能的影响.pdfVIP

靶电流对非平衡磁控溅射制备无氢碳膜结构与性能的影响 刘衡平 ，徐均琪，严一心 (西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室，陕西 西安 710032) [摘 要] 利用非平衡磁控溅射 (UBMS)技术在硅基片上制备了无氢碳膜，并采用Raman光谱、x射线衍射、傅立叶变换光谱 等手段对不同靶电流下沉积的薄膜的微观结构、沉积速率、粗糙度、表面接触角及红外透过率进行 了研究。试验结果表明：随着靶电 流的增大，薄膜的沉积速率增大，薄膜中s 键含量增加，薄膜表面接触角增大，红外透过率增大；而薄膜的粗糙度随靶电流增加而 减小。靶 电流是影响非平衡磁控溅射制备无氢碳膜结构与性能的 1个主要因素。 [关键词] 非平衡磁控溅射 ；类金刚石；性能；结构 [中图分类号]TG174．444；0484．4 [文献标识码]A [文章编号]1001—3660(2009)01—0008—03 EffectofTargetCurrentonStructureandCharacteristicsofthe Hydrogen-freeCarbonFilmsbyUnbalancedMagn