低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜及其制备方法.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约3.9千字
  • 约 1页
  • 2015-08-05 发布于江西
  • 举报

低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜及其制备方法.pdf

金属学与金属工艺

维普资讯 中金刚石粉的悬浮量分别为20、40、80rag/L,以达到改变复合镀 层中纳米金刚石含量的 目的,在规定的温度中进行 80min。当 其它条件相同,单一改变金刚石粉的含量时,在 20mg/L时,镀 件表面纳米颗粒很少 ,如图6所示,其细化晶粒和阻碍塑性变形 的作用未能发挥出来 J,复合层硬度和耐磨性的提高并不明 显。在40mg/L时,镀件表面较均匀地分布着纳米金刚石颗粒, 如图2所示。当为80mg/L时,复合镀层 中明显有纳米颗粒团 聚的现象,如图7所示 ,导致其与基质金属结合强度下降,从而 使复合膜层的脆性增大,耐磨性能降低,磨损时有明显脱落现象。 图8 载荷为 19.6N时复合膜刻痕形貌 Fiug re8Themoprholoyg of compositefilm underaload19.6N

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档