各向异性磁阻传感原理及测量技术.pdfVIP

各向异性磁阻传感器和磁 场测量 刘文军 概 述 • 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效 应，可制成磁阻传感器。 • 磁场的测量可利用电磁感应，霍耳效应，磁阻效 应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快，测量 灵敏度最高。 • 磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如 弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗 盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。 也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁阻 效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种 接近开关，隔离开关，广泛用于汽车，家电及各 类需要自动检测与控制的领域。 发 展 • 半导体磁阻（MR），各向异性磁阻AMR ）， 巨磁阻（GMR），庞磁阻（CMR ）等阶段。 • 法国人艾尔伯-费尔和德国科学家彼得·格林贝 格尔 1988年发现巨磁阻（GMR)，2007年获 诺贝尔物理奖。 实验目的 • 了解AMR 的原理并对其特性进行实验研究 实验仪器 磁阻传感器盒 赫姆霍兹线圈 传感器 传感器轴向移动锁紧螺钉 横向移动锁紧螺钉 传感器绕轴旋转锁紧螺钉 线圈水平旋转锁紧螺钉 传感器水平旋转锁紧螺钉 信号接口盒 仪器水平调节螺钉 磁场实验仪 实验原理 铁磁材料的电阻与电流及磁 化方向的夹角有关，电流与 磁化方向平行时电阻R最大， 电流与磁化方向垂直时电阻R 最小，电流与磁化方向成θ角 时，电阻可表示为： 2 R = Rmin＋(Rmax－Rmin)cos θ 采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加 外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁 场强度成线性关系。 B 向 方 化 磁 成 合 R2 R1 、R3电阻减小 B ΔR；R2、R4电阻增 R1 大ΔR。通过对电桥 的分析可知，此时输 输出为0 出电压可表示为： R3 U＝Vb ×ΔR/R R4 ΔR/R为磁阻阻值的相对 变化率，与外加磁场强度 成正比。 商品磁阻传感器已制成集成电路