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530-学习子情境1 电阻应变式力传感器 单片机接口
学习子情境1 电阻应变式力传感器 单片机接口 1.1.1 51单片机概述 51单片机的起源 1980年Intel推出首款8位单片机-8051 Intel在80-82年陆续推出和8051指令系统完全相同,内部结构基本相同的8031、8052和8032等型号单片机,初步形成MCS-51系列,被奉为“工业控制单片机标准” 84年intel出售了8051的核心技术 PHILIPS ATMEL ADI CYGNAL 发展至今形成一个有近千种型号的庞大的51单片机家族。 51系列单片机的鼻祖——8051 1980年诞生于美国intel公司 8bit数据宽度 最高运算速度1MPS 可以进行乘法运算 片内4KbyteROM,128byteRAM 64K寻址 5级中断管理、2个16bit定时器 UART串口、4×8bit并口 51系列单片机的遗传基因 兼容的指令系统 相同的指令 相同的语法 相同的基本结构——51架构 引脚兼容 1.1.2 51架构(51 Architecture) 8051内部ROM ROM:Read Only Memory(只读存储器) 一般用于存放程序和表格等不常改变的数据常见的OM种类: 掩膜ROM (Masked ROM) EPROM (Electrically Programmable ROM) EEPROM (E2PROM) Flash ROM OTP ROM (One Time Programmable ROM) 8051单片机的ROM是掩摸ROM: 容 量:4096byte(212) 地址范围:0000H~1FFFH 8051内部RAM RAM:Random Access Memory(随机存储器) 一般用于存放程序执行过程中产生的大量的临时数据,相当于PC的内存。 8051单片机的内部RAM: 容 量: 128字节 地址范围: 00H~7FH 8051的CPU-Central Processing Unit(中央处理单元) 作用: 控制 协调片内各部分的工作时序逻辑 控制和片外联络的时序逻辑 运算 加法运算 减法运算 乘法运算 除法运算 布尔逻辑运算(与、或、非、异或、移位等) 51架构与51单片机的内部存储器 内部ROM 内部RAM 1.1.3 8051单片机引脚功能描述 1.1.4 常见51系列单片机 51单片机的改进方向 制造工艺更新为CHMOS工艺(型号中含C) 特点:低功耗、高速、电平兼容TTL和CMOS 比如:89C51、80C51 采用Pipeline(流水线)进一步提高运算速度 8051:1MIPS C8051Fxx:25MIPS 片内植入A/D、D/A、PCA等功能模块 片内存储器扩展和改型—FlashROM、OTPROM 引入更多的通信方式如SPI、SCI、I2C等 采用更小的封装和功耗 Philips 80C51系列单片机 Philips 8位8051单片机系列提供完整的产品类型,包括Flash、OTP(一次性编程)、ROM和无ROM器件。由于为实时应用而设计,这些80C51器件可以广泛应用于从消费类产品、计算机外设到自动化系统的各种领域。 1.1.5 工作原理 1.金属的电阻应变效应 电阻的灵敏系数 金属电阻的灵敏系数 2. 应变片的基本结构与种类 敏感栅 直径为.025mm左右的合金电阻丝 结构 丝绕式 基底 绝缘 覆盖层 保护 应变片的类型和材料 金属丝式 金属箔式 金属薄膜式 金属丝式应变片 金属箔式应变片 在绝缘基底上,将厚度为0.003~0.01mm电阻箔材,利用照相制板或光刻腐蚀的方法,制成适用于各种需要的形状 优点 : (1)尺寸准确,线条均匀,适应不同的测量要求, (2)可制成多种复杂形状尺寸准确的敏感栅 (3)与被测试件接触面积大,粘结性能好。 散热条件好,允许电流大,灵敏度提高。 (4)横向效应可以忽略。 (5)蠕变、机械滞后小,疲劳寿命长。 缺点: 电阻值的分散性大 阻值调整 金属薄膜应变片 采用真空蒸发或真空沉积等方法在薄的绝缘基片上形成厚度在0.1μm以下的金属电阻材料薄膜敏感栅,再加上保护层
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