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学习子情境1 电阻应变式力传感器 单片机接口 1.1.1 51单片机概述 51单片机的起源 1980年Intel推出首款8位单片机-8051 Intel在80-82年陆续推出和8051指令系统完全相同，内部结构基本相同的8031、8052和8032等型号单片机，初步形成MCS-51系列，被奉为“工业控制单片机标准” 84年intel出售了8051的核心技术 PHILIPS ATMEL ADI CYGNAL 发展至今形成一个有近千种型号的庞大的51单片机家族。 51系列单片机的鼻祖——8051 1980年诞生于美国intel公司 8bit数据宽度 最高运算速度1MPS 可以进行乘法运算 片内4KbyteROM，128byteRAM 64K寻址 5级中断管理、2个16bit定时器 UART串口、4×8bit并口 51系列单片机的遗传基因 兼容的指令系统 相同的指令 相同的语法 相同的基本结构——51架构 引脚兼容 1.1.2 51架构(51 Architecture) 8051内部ROM ROM：Read Only Memory(只读存储器) 一般用于存放程序和表格等不常改变的数据常见的OM种类： 掩膜ROM (Masked ROM) EPROM (Electrically Programmable ROM) EEPROM (E2PROM) Flash ROM OTP ROM (One Time Programmable ROM) 8051单片机的ROM是掩摸ROM： 容 量：4096byte(212) 地址范围：0000H～1FFFH 8051内部RAM RAM：Random Access Memory(随机存储器) 一般用于存放程序执行过程中产生的大量的临时数据，相当于PC的内存。 8051单片机的内部RAM： 容 量： 128字节 地址范围： 00H~7FH 8051的CPU-Central Processing Unit(中央处理单元) 作用： 控制 协调片内各部分的工作时序逻辑 控制和片外联络的时序逻辑 运算 加法运算 减法运算 乘法运算 除法运算 布尔逻辑运算(与、或、非、异或、移位等) 51架构与51单片机的内部存储器 内部ROM 内部RAM 1.1.3 8051单片机引脚功能描述 1.1.4 常见51系列单片机 51单片机的改进方向 制造工艺更新为CHMOS工艺(型号中含C) 特点：低功耗、高速、电平兼容TTL和CMOS 比如：89C51、80C51 采用Pipeline(流水线)进一步提高运算速度 8051：1MIPS C8051Fxx：25MIPS 片内植入A/D、D/A、PCA等功能模块 片内存储器扩展和改型—FlashROM、OTPROM 引入更多的通信方式如SPI、SCI、I2C等 采用更小的封装和功耗 Philips 80C51系列单片机 Philips 8位8051单片机系列提供完整的产品类型，包括Flash、OTP(一次性编程)、ROM和无ROM器件。由于为实时应用而设计，这些80C51器件可以广泛应用于从消费类产品、计算机外设到自动化系统的各种领域。 1.1.5 工作原理 1.金属的电阻应变效应 电阻的灵敏系数 金属电阻的灵敏系数 2. 应变片的基本结构与种类 敏感栅 直径为.025mm左右的合金电阻丝 结构 丝绕式 基底 绝缘 覆盖层 保护 应变片的类型和材料 金属丝式 金属箔式 金属薄膜式 金属丝式应变片 金属箔式应变片 在绝缘基底上，将厚度为0.003～0.01mm电阻箔材，利用照相制板或光刻腐蚀的方法，制成适用于各种需要的形状 优点 ： （1）尺寸准确，线条均匀，适应不同的测量要求， （2）可制成多种复杂形状尺寸准确的敏感栅 （3）与被测试件接触面积大，粘结性能好。 散热条件好，允许电流大，灵敏度提高。 （4）横向效应可以忽略。 （5）蠕变、机械滞后小，疲劳寿命长。 缺点： 电阻值的分散性大 阻值调整 金属薄膜应变片 采用真空蒸发或真空沉积等方法在薄的绝缘基片上形成厚度在0.1μm以下的金属电阻材料薄膜敏感栅，再加上保护层