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第43卷 第3期 材 料 工 程 V01．43No．3 JournalofMaterials 2015年3月第35—41页 Engineering Mar．2015 pp．35—41 Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能 Structure andPhotoelectricof Properties ZnTeThinFilms Sb—doped 邹 凯1’2，李蓉萍1’2，刘永生1’2，田磊1，冯松1 (1内蒙古大学物理科学与技术学院，呼和浩特010021； 2内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室，呼和浩特010021) ZOUKail～，LI Leil，FENG Rong．pin91～，LIUYong—shen91～，TIANSon91 (1Sch001of Scienceand Physical Technology，InnerMongolia O1002 of University，Hohhot1，China；2KeyLaborat。ry SemiconductorPhotov01taic atUniversitiesof Technology Inner Autonomous 010021，China) Mongolia Region，Hohhot 摘要：采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb—znTe多晶薄膜，并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别 利用XRD、sEM、紫外一可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进 行表征，研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响。结果表明：未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿 结构，导电类型为P型。sb掺杂并未改变znTe薄膜晶体结构和导电类型，但衍射峰强度降低；Sb含量直接影响着Sb 在ZnTe中的存在形式，掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合，使薄膜中Te的含量增加；室温下薄膜的光学透过率和 光学带隙取决于掺sb浓度和退火温度，并且掺sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加，导电能力明显增强。 关键词：ZnTe薄膜；sb掺杂；真空蒸发；光学性能；电学性能 doi：10．11868／j．issn．1001—4381．2015．03．007 中图分类号：0484．4文献标识码：A 文章编号：100卜4381(2015)03一0035一07 andSb—ZnTe thin“lmswere vacuum on Abstract：ZnTe polycrystaIline by evaporationgIass prepared substratesandannealedin