共振隧穿二极管.ppt

学号：51101213025 姓名：郁士吉 双异质结共振隧穿二极管： 一层薄的（20nm），具有较窄带隙的半 导体材料（如GaAs、InAs或InGaAs），即 所谓的量子阱，夹在两层很薄的（10nm） 具有宽带隙的半导体材料（如AlGaAs、AlSb、 AlAs）之间。 右图（a）为台面AlAs / GaAs / AlAs 谐振隧穿 二极管的截面图； 图（b）I-V特性的测量值和理论值。 量子阱的厚度接近德布罗意波长的量级，阱中电子就被限制在分立的能级上（E1，E2等），偏压V=0时热平衡状态的能带图如上图所示。 当偏压增加时，阴极一侧接近势垒的地方形成一个积累区，在阳极一侧靠近势垒的地方形成耗尽区。只有很少的电子能隧穿通过双势垒。一旦偏压达到某个值，使阴极一侧导带中被占据的能态与阱中空能态齐平，共振就发生了。在这一点，许多电子能够隧穿通过左边的势垒进入阱中，并接着隧穿通过右边的势垒进入阳极一侧导带中未被占据的能态。此过程对应I-V特性A-B段。当左边的导带边上升高过E1，能够隧穿通过势垒的电子数剧减。对应I-V特性的B-C段。 1. 高频，高速工作。 高速物理机制，RTD本征电容小，有源区 短。 2. 低工作电压，低功耗。 电压为0.5V左右，工作电流为毫安量级，如果材料生长过程中做一个预势垒，电流可降到微安级。 3. 负阻，双稳和自锁特性。 4. 用少量器件完成多种功能。 台面型 平面型 其发射区(E)、双势垒结构(DBS) 和集电区(C)位于沿垂直方向不同 的层面上。 RTD器件由三个台面构成： (1)由发射极接触金属AuGeNi构成的顶层台 面，作用是引出发射极接触，在工艺过程 中经常作为腐蚀下一层台面的掩蔽金属层； (2)位于n~GaAs层集电极接触台面，以AuGeNi作为引出电极； (3)压焊点台面为了良好的电绝缘和减小寄生电容，压焊点一般设计在半绝缘GaAs衬底上。 特点： 器件中所有电极接触都位于顶层 同一个平面内。这就需要将纵向器 件底部的电极通过纵向电流通道引 到顶层表面。 基于共振隧穿的位移传感器： 以A1As／GaAs／A1As共振隧穿 双势垒(DBRT)结构薄膜作为力敏 元件，设计的一种压阻式微位移 传感器。偏压为0.85v的情况下灵敏度为1.1811*104V/m，如果DBRT结构换成硅或铜镍合金力敏电阻，设计出同类位移传感器。通过计算，它们的灵敏度分别为0.384l *104 V/m和0.1667 *104 V/m。此灵敏度明显高于后两者。当偏压为0.9V时，S=0.7788 *104 V/m。所以此传感器灵敏度可调。 基于共振隧穿效应的电磁式微机械陀螺仪: 该陀螺的驱动方式采用电磁驱动，电磁驱动方式利用磁场中产生的安培力来实现,采用共振隧穿二极管所具有的介观压阻效应检测，大幅度提高微陀螺仪的灵敏度；所设计的结构减小了驱动模态和检测模态之间的干扰，很好的解决了机械耦合现象。 工作原理： 整个陀螺结构放置于z轴方向的匀强磁场中，当驱动导线上通入交变电流时，驱动导线上产生交变驱动力，该交变驱动力的频率与陀螺的固有频率接近；在交变驱动力的作用下，质量块沿着驱动 轴( 轴)的方向往复运动，若此时在角 速度输人轴(y轴)输入角速度，根据陀 螺哥氏效应原理，质量块将会在敏感 轴方向(z轴)产生进动，该进动位移 量通过组合梁机构在检测梁的根部产 生应力变化，通过检测RTD电信号的 变化量就可以得到系统在Y方向输入 的角速度大小。 双势垒隧道发光结的结构： Si-SiO2-Al-Al2O3-Au双势垒结构和Cu-Al2O3-MgF2-Au双势垒金属-绝缘体-绝缘体-金属隧道结(MIIMJ )。 双势垒隧道发光结的结构和器件的示意图如右图 Si-SiO2-Al-Al2O3-Au双势垒结构的发射光谱如下图所示： 波长范围约为300～ 700 nm , 谱峰主峰位于480 nm 左右, 而普通Si-SiO2-Au单栅M IS 结, 其波长范围在500～ 900 nm , 波峰有两个, 分别位于620 nm 及735 nm 左右。比较可知，存在着较明显的“蓝移”现象。 所制备的Cu-Al2O3-MgF2-Au结, 其发光光谱波长范围约为250～ 700 nm , 谱峰主峰位于460.8 nm 左右, 而普通Al-Al2O3-Au单栅M IM 结, 其波长范围在500～ 900 nm , 波峰有两个, 分别位于630 nm 及700 nm 左右。同样存在着 较明显的“