第3章 门电路3.ppt

2004.2 第三章 门电路 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 ***** 3.4 其他类型的MOS集成电路 3.5 TTL门电路 ***** 3.6 其他类型的双极型数字集成电路 3.7 Bi-CMOS门电路 3.8 TTL电路与CMOS电路的接口 工作原理： （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地。 4、 异或门 1、推拉式输出电路结构的局限性 ① 输出电平不可调 ② 负载能力不强，尤其是高电平输出（大负载） ③ 输出端不能并联使用（线与） 例3.5.5(P133-134)已知IOH=200μA， IOL(max)= 16mA， n=2， m=9，m=3, VCC=5V，|IIL|=1mA ，IIH=40μA，VOH(min)=3V，VOL(max)=0.4V， 计算RL的范围 当EN=1时，P=0，D导通， T2、T5都截止。VC2=0.9V， T4、D都截止, 这时从输出端Y看进去，呈现高阻，称为高阻态，或禁止态。 （a）组成单向总线，实现信号的分时单向传送. 5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为改进肖特基系列， 它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为改进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。 作 业 P154-156 3.14 3.15 3.16 * 数字集成电路：在一块半导体基片上制作出一个完整的逻辑电路所需要的全部元件和连线。使用时接：电源、输入和输出。数字集成电路具有体积小、可靠性高、速度快、而且价格便宜的特点。 TTL型电路：输入端和输出端都采用了三极管结构，称之为: 三极管--三极管逻辑电路（Transistor— Transistor Logic），简称为TTL电路。 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 按照集成度的高低，将集成电路分为以下几类： 小规模集成电路：100个以下(元件和连线）( Small Scale Integration :SSI ) 中规模集成电路：几百个（Medium Scale Integration :MSI ) 大规模集成电路：几千个 （ Large Scale Integration :LSI ) 超大规模集成电路：一万个以上（Very Large Scale Integration VLSI ） 一、电路结构：以74系列TTL反相器的典型电路为例 其中，D1是输入端钳位二极管，它既可以抑制输入端可能出现的负极性干扰脉冲，又可以防止输入电压为负时T1的发射极电流过大，起到保护作用，正常工作时， D1不起作用. 1、V1=0.2V时 T1能够导通，VB1=0.2+0.7=0.9V T1深度饱和，VCES1≈0V T2、T5截止，→IB2=IC2≈0 VR2很小约为0.2V,VB4≈5V-0.2V=4.8V VO=VCC-VR2-VBE4-VD2=5-0.2-0.7-0.7=3.4(V) 0.9V 0.2V 4.8V 0.2V →T4、D2导通 2、V1=3.4V时 VB1=3.4V+0.7V=4.1V(不考虑T2、T5) 3.4V 2.1V 1.4V 0.7V 1V 显然，由于T2、T5的存在和PN结(VBE) 的钳位作用， T2、T5导通，VB1=2.1V，VC1=1.4V，VE1=3.4V →T1管倒置 假设T2饱和导通 则VCES2≤0.3V，VC2=0.3+0.7=1V T2饱和导通 T2饱和导通→VC2=1V， → VB4=1V → T4、D2截止 IC5=0， → T5深度饱和→VO=VCES5=0.1V 0 1 1 0 Y A 工作特点：输出级在稳定状态下T4和T5总是一个导通而另一个截止，所以，TTL非门电路静态功耗低、驱动负载的能力强。 总结： V1=0.2V时：T1深度饱和，T2、T5截止，T4、D2导通，VO=3.4(V) V1=3.4V时：T1管倒置、T2饱和导通、T4、D2截止、 T5深度饱和VO=VCES5=0.1V ⑴AB段: 当Vi0.7v时，Vb20.7v，T2和T5管截止，T4导通，输出为高电平, VoH=Vcc-VR2-Vd2-Vbe4 ?3.4V故AB段称为截止区. 0.9V 0.2V 4.8V 0.2V ⑵BC段: 当0.7Vi1.3v时T2管的发射极电阻R3直接接地，故T2管开始导通并处于放大状态，所以Vc2和Vo随Vi的增高而线性地降低。但T5管仍截止。故BC段称为线性区。 A B C VO VI 0 1 2 3 3 2 1 三、电压传输特性： 1.4V 0.7V 4.8V 0.7V 2.1V 1.4V 1.0V 1.4V ⑶CD段: