第5章场效应管.ppt

* 第5章 场效应管（Field Effect Transistor）及其放大器 FET：利用电场效应控制其电流的正向受控器件 特点：工艺简单，占用芯片面积小，输入阻抗高（107Ω以上） MOS型（金属-氧化物-半导体Metal-Oxide-Semiconductor FET或MOSFET） 结型（Junction FET，或JFET） 分类 内容:（1）场效应管的工作原理、特性和模型 （2）场效应管放大器（直流偏置电路，小信号分析） 5.1 MOS场效应管 增强型(Enhancement MOS或EMOS) 耗尽型(DepletionMOS或DMOS) N沟道(Channel) P沟道 分类 导电类型 一、N沟道EMOS场效应管 1、结构 2、工作原理 工作条件：PN结必须反偏（含零偏），源极一般与衬底相连，所以VDS必须为正值。 工作过程: (1)沟道的形成 ① ② VGS0→指向衬底的电场→吸引电子,排斥空穴→空间电荷(b图) ③ VGS↑ →电子薄层→N+NN+ →导电沟道(N) (c图) 开始形成沟道的VGS为开启电压—VGS(th) ④ VGS↑→沟道宽度↑→导电能力↑→ID ↑ (2) VDS对沟道的控制 (VGSVGS(th) ) ①VDS0(很小),ID随VDS线性增加 ② VDS↑→沿沟道有电位梯度→近漏极沟道深度变窄→电阻↑→ ID上升斜率↓→ID增加缓慢 VDS↑→VGD↓(VGD=VGS-VDS)→VGD=VGS(th) →近漏极端的电子层消失→沟道预夹断(A) ④VDS再增大，电压的大部分将降落在夹断区(此处电阻大)，而对沟道的横向电场影响不大，沟道电压也从此基本恒定下来。所以随VDS的增大，ID基本恒定，从此进入恒流区。 ? (3)沟道长度调制效应 VDS↑→A点略左移→沟道长度↓→电阻↓→ID↑(略) 3.伏安特性(共源) 输出特性 它与NPN型晶体三极管共发射极的输出特性相似，它也分为恒流区(饱和区)、可变电阻区(非饱和区)、截止区和击穿区。 1.非饱和区 预夹断前 VGSVGS(th) VDSVGS-VGS(th) ID同时受VGS、VDS控制 μn——沟道电子运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； l ——沟道长度； W/l ——MOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。 简化: VDS很小，忽略二次项 ID与VDS呈线性→电阻（受VGS控制） 2. 饱和区(放大区、恒流区） 预夹断后，VGSVGS(th) VDSVGS-VGS(th) ·曲线平坦，VGS对ID控制能力强。 ·VDS对ID的控制能力弱。 正向受控作用：VGS控制ID 平方律关系→转移特性 转移特性曲线主要特点为： (1)当VGSVGS（th）时，ID=0。 (2)当VGS VGS（th）时， ID 0， VGS越大，ID也随之增大，二者符 合平方律关系， 计沟道长度调制效应 3.截止区：VGS≤VGS（th），导电沟道未形成，ID=0。 4.击穿区 VDS↑→PN结雪崩击穿→ID↑↑ VGS过大→SiO2绝缘层的击穿（永久性损坏） 二、N沟道耗尽型MOSFET(DepletionNMOSFET) ?1、结构 增强型N沟道MOSFET在VGS=0时，管内没有导电沟道。而耗尽型则不同，它在 VGS =0时就存在导电沟道。因为这种器件在制造过程中，在栅极下面的SiO2绝缘层中掺入了大量碱金属正离子(如Na++或K++)，这些正离子的作用如同加正栅压一样，在P型衬底表面产生垂直于衬底的自建电场，排斥空穴，吸引电子，从而形成表面导电沟道，称为原始导电沟道。 P沟道 N沟道 2、伏安特性 输出特性曲线（a）和转移特性曲线（b） 由于VGS=0时就存在原始沟道，所以只要此时VDS0，就有漏极电流。 如果VGS 0,指向衬底的电场加强，沟道变宽，漏极电流ID将会增大。 反之，若VGS 0，则栅压产生的电场与正离子产生的自建电场方向相反，总电场减弱，沟道变窄，沟道电阻变大， ID减小。 当VGS继续变负，等于某一阈值电压时，沟道将全部消失， ID =0，