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第8章 其他常用半导体器件 8.1 结型场效应晶体管 第一只实用场效应管是W.B. Shockley在1952年提出的结型场效应管，而后在1960年Dawon Kahng发明了金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 8.1.1 结型场效应晶体管基本结构及工作原理 1. P-N JFET的结构和工作原理 理想n沟道P-N JFET结构 n沟P-N JFET工作示意图 2. MESFET的结构和工作原理 耗尽型MESFET 增强型MESFET 8.1.2 结型场效应晶体管特性 1. P-N JFET的基本特性 1）输出特性 n沟P-N JFET输出特性曲线 2）转移特性 n沟道P-N JFET转移特性曲线 3）跨导gm 当VDS为常数时，漏极电流ID的微小变化量与栅源电压VGS的微小变化量之比称为跨导，即 跨导就是JFET的增益，它表明了栅极电压控制漏电流的情况，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。 4）频率特性 JFET的小信号等效电路 只包含电容的JFET小信号等效电路 8.2 MOS功率场效应晶体管 8.2.1 MOS功率场效应晶体管基本结构 LDMOSFET基本结构 VDMOSFET基本结构 8.2.2 MOS功率场效应晶体管特性 1.导通电阻 功率MOSFET的导通电阻Ron主要由以下几个部分组成： Ron=RS+Rch+RA+RJ+Rd+Rsub+Rwcml 其中RS是源区电阻，Rch是沟道电阻，RA是积累层电阻，RJ是JFET电阻，Rd是漂移区电阻，Rsub是衬底体电阻，Rwcml是总的键合引线电阻 。 2. 栅极电容 栅极电容是MOS器件截止频率的限制因素，它也极大影响器件的开关速度和功率损耗。 3. 寄生双极晶体管 功率MOSFET内部寄生元器件 简化的寄生元器件等效电路 4. 安全工作区 安全工作区由三个因素确定：最大漏电流ID（max）、额定击穿电压BVDSS和最大功耗PT=VDSID。 线性坐标 （a）线性坐标 （b）线性坐标 5. 结温和散热 热阻是热量在热流路径上遇到的阻力，它反映了介质或介质间的传热能力的大小，表明了1W热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K/W。用热功耗乘以热阻，即可获得该传热路径上的温升，因此在任意两点x和y之间的稳态热阻Rth写为： 8.3 光电二极管 8.3.1 P-N结光伏特性 1. 光的吸收 当用光照射半导体时，光子可以被半导体吸收，也有可能穿透半导体，这将取决于光子能量和半导体禁带宽度Eg。如果光子能量小于Eg，将不能被吸收。当入射光子透射过半导体，此时半导体表现为透明。 2. 光生伏特效应 P-N结光伏结构示意图 光生载流子运动情况