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第10章 常用半导体器件 色环电阻 晶体管、场效应管、晶闸管 iD iD 分析uDS对漏极电流iD的影响。 当uDS较小时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 uDS增大，iD线性增大。导电沟道呈线性电阻特性 当uDS较大时，使靠近D区的导电沟道变窄。 uDS再增大，iD增加缓慢，具有恒流特性。 返回 （3）特性曲线 可变电阻区－饱和区 输出特性与晶体管相比， 恒流区－放大区 夹断区－截止区 返回 2. N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 （1）结构 有原始导电沟道 返回 工作条件： 返回 NPN型电路符号 PNP型电路符号 10.4 半导体三极管 10.4.1 基本结构 返回 B E C N N P 基极 发射极 集电极 从掺杂浓度上，E C B 从尺寸上，C E B 结构特点： 集电区面积较大 基区较薄，掺杂浓度低 发射区掺 杂浓度较高 返回 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电结 两个PN结： 发射结 返回 实验电路： 发射极是公共端，这种接法称为共发射极接法。 发射结外加正向电压，集电结外加反向电压。 10.4.2 电流分配及放大原理 返回 实验结果： 结论：晶体管具有电流放大作用。 返回 要使三极管能放大电流，发射结必须正偏，集电结必须反偏。 IC与IB之比称为电流放大倍数，即 返回 用晶体管的载流子运动规律解释放大原理： 进入P区的电子小部分与基区的空穴复合，形成基极电流IB，多数电子继续向集电结扩散。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 返回 集电结反偏，少子空穴向基区飘移，形成反向电流ICBO。 由于集电结反偏，从基区扩散来的电子穿过集电结而被收集，形成集电极电流IC。 结论： 由于集电区的空穴数基区的空穴数，所以基极电流主要是多子空穴与电子复合产生的。 返回 实验电路： 2.输出特性 1.输入特性 10.4.3 特性曲线 返回 硅管工作压降： UBE ? 0.6~0.7V, 锗管工作压降： UBE ? 0.2~0.3V。 死区电压， 硅管0.5V， 锗管0.1V。 1.输入特性 返回 2.输出特性曲线 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，即IC=?IB 饱和区：UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC， UCE ?0.3V IB= 0,IC≈0,UBE 0 返回 共射接法的放大电路 直流电流放大倍数： 1.电流放大倍数 ? 交流电流放大倍数： 在计算中，一般作近似处理：? = 10.4.4 主要参数 返回 例如UCE = 6V时：IB=40?A, IC=1.5mA； IB=60 ?A, IC=2.3mA。 所以，? = 返回 2.集-基极反向截止电流 ICBO ?A ICBO ＋ － ＋ － ICBO 是集电结反偏由少子的漂移形成 的反向电流，其值受温度的变化影响。 返回 3.集-射极反向截止电流 ICEO ?A ICEO ＋ － ICEO 是基极开路时，由集电极流入发射极的电流，其值受温度变化的影响。 ICEO= ? ICBO +ICBO=(1+ ? ) ICBO 返回 B E C ICBO ? ICBO 根据放大关系，由于有ICBO的存在必有电流 ?ICBO。 ICEO= ? ICBO +ICBO=(1+ ? ) ICBO 集电结反偏，有ICBO。 返回 实际上，晶体管工作在放大区时， IC= ? IB+ICEO ICEO 返回 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致晶体管的?值下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 当基极开路时，允许加在集－射极之间的最大电压，即为 。当UCE超过此值时，晶体管就会击穿。 5. 集－射极反向击穿电压 返回 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过晶体管，所消耗的功率为 PC=ICUCE 其后果必定导致结温上升，所以要限制PC。 正常工作时， PC?PCM 返回 βUCEO ICM 晶体管正常工作的区域 返回 解： (a) 放大状态（硅管） (b) 放大状态（锗管） (c) 饱和状态 (a) (b) (d) (c) (d) 截止状态 判断下图中晶体管的工作状态。 【例10.3】 返回 由一个PN结组成，常用的材料为砷化镓和磷化镓。 外加正向电压时，导通发光，工作电压为2V以下。 10.5 其他半导体器件简介 10.5.1发光二极管（LED) 返回 由于发光二极管具有工作电压低、体积小、功耗低、工作可靠使用方便等特点，所以广泛应用到各种测量设备及其电子设备的数字显示。 【例10.4】电源指示灯 当开关S闭合时，发光二极管导通发光，表示直流电源正常工作。 返回 光电耦合器是由发光元件和受光元件组成。发光元件采用红外发光二极管。