二三极管简介.pptVIP

高斯贝尔数码科技 二、三极管 高斯贝尔数码科技 半导体的特点： 自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻率约为导体的1000亿倍。 半导体是制造晶体管的原料，它之所以能得到广泛应用，主要原因并不在于它的电阻率大小，而在于其电阻率随温度、光照以及所含杂质的种类、浓度等条件的不同而显著的差别。半导体的导电性能有如下一些显著特点： 高斯贝尔数码科技 1、半导体的电阻率随温度上升而显著下降，呈负温度系数的特性。半导体的导电能力随温度上升而显著增加。利用半导体的温度特性，可以把它作为热敏材料制成热敏元件。 2、半导体的电阻率随光照的不同而改变。利用半导体的灾一特性，可以用它作为光敏材料制成光敏元件。 3、半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度有很大并系。可以利用这一特性，通过工艺手段，生产各种性能和用途的半导体器件。 高斯贝尔数码科技 本征半导体： 常用的半导体材料有硅和锗，高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定的规律排列着，原子之间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体称为本征半导体。从图可以看出，它们的最外层电子数都是4个，故叫4价元素。正常情况下，它们的原子都呈中性。 在硅、锗制成单晶后，最外层4个价电子不仅受自身原子核束缚，还与其相邻的4个原子核相吸引，2个相邻原子之间共有1对价电子，价电子称为共价 键结构。 如果共价键中的价电子受热激发获 高斯贝尔数码科技 得足够能量，则可摆脱共价键的束缚而成为自由电子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位，这个空位称为空穴。显然，空穴带正电荷。 在本征半导体中，自由电子和空 穴的数量是相同的，称之为电子 空穴对，本征半导体靠热激发 的电子空穴对很少。本征半导体 有如下特点： A、温度越高，电子空穴对越多。 B、电子空穴对的热运动是杂乱无章的，就整体而言，对外不显电性。只有在外电场作用下，电子和空穴运动才具有方向性 高斯贝尔数码科技 掺杂半导体： 本征半导体实际使用价值不大，但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素，就形成N型和P型半导体。 1、N型半导体： 在本征半导体（以硅为例）中掺入少量的5价元素，如磷（P）、砷（As）等，因为磷原子的最外层有5个价电子，其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结构，多余的电子很容易受激发成为自由电子。掺入磷元素越多，则 自由电子越多。这种掺入5价元素的半导体称为N型半导体。N型半导体主要靠自由电子导电，称为多数载流子，而空穴数量远少电子数量，称之为少数载流子。 高斯贝尔数码科技 P型半导体 在本征半导体掺入3价元素(B)，因为硼原子最外层只有3个电子，3个价电子和相邻的3个硅原子形成共价键后，就留下一个空穴空穴数量增多，自由电子则相对很少，故掺入3价元素的半导体称为P型半导体，如图1.1.4所示。P型半导体主要靠空穴导电，称为多数载流子，而自由电子远少于空穴的数量，称为少数载流子。 高斯贝尔数码科技 注意：不论N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。 PN结成与特性 1.PN结的形成 当P型半导体和N型半导体接触以后，由于交界两侧半导体类型不同，存在电子和空穴的浓度差。这样，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。由于扩散运动，在P区和N区的接触面就产生正、负离子层。N区失掉电子产生正离子， 高斯贝尔数码科技 P区得到电子产生负离子。通常称这个正、负离子层为PN结，如图上图所示。 在PN结的P区一侧负电，N区一侧带正电。PN结便产生了内电场，内电场的方向从N区指向P区。内电场对扩散运动起到阻碍作用，电子和空穴的扩散运动随着内电场的加强而逐步减弱，直至达 到平衡，在界面处形成稳定的 空间电荷区，如图1.1.5(b)所示。 高斯贝尔数码科技 2.PN结的特性 (1)PN结的正向导通特性 给PN结加正向电压，即P区接正电源，N区接负电源，此时称PN结为正向偏置，如图1.1.6(a)所示。 高斯贝尔数码科技 这时PN结外加电场与内电场方向相反，当外电场大于内电场时，外加电场抵消内电场使空间电荷区变薄，有利于多数载流子运动，形成正向电流，加电场越强，正向电流越大，这意味PN结的正向电阻变小。 (2)PN结反向截止特性 给PN结加反向电压，即电 正极接N区，负极接P区，称PN结反向偏置，如图1.1.6(b)所示。这时外加电场与内电场方向相同，使内电场的作用增强，PN结变厚，多数载流子运动又难于进行，有助于少数载流子运动，形成电流IR，少数载流子很少，所以电流很小，接近于零，即PN结反向电阻很大。 高斯贝尔数码科技 综上所述，PN结具有单向导电性，加正向电压时，PN结电阻很小，电