电路分析第4章.pptVIP

模拟电子技术基础 本课程是入门性质的技术基础课 一、电子技术的发展 47年 贝尔实验室制成第一只晶体管 58年 集成电路 69年 大规模集成电路 75年 超大规模集成电路 二、模拟电路 数字量：离散性 模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、压力、流量、液面……均为模拟量。 模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。 有源元件：能够控制能量的元件。 三、课程目的 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能 具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。 五、学习方法 在入门阶段要以听课为线索； 建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念、实践的观念； 特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。 第一章 半导体器件 一、二极管 二极管的几个参数 二、晶体管（三极管、双极型管） 晶体管的三个工作区域 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon β IB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜β IB ＜ uBE 温度对晶体管特性的影响 第二章 放大电路基础 §2.1 放大的概念及 放大电路的性能指标 二、性能指标 1.放大倍数 二、性能指标 2.输入电阻和输出电阻 二、性能指标  3.通频带 衡量放大电路对不同频率信号的适应能力 * * 第一片集成电路只有4个晶体管，而97年一片集成电路上有40亿个晶体管。科学家预测集成度按10倍/6年的速度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。 四、考察方法： 会看：定性分析 会算：定量计算、CAD 会选：电路形式、器件、参数 会调：测试方法、仪器选用、EDA 六、考试方法 笔试开卷。 开启电压 端电压 温度的 电压当量 反向饱和电流 电流 正向特性为指数曲线 反向电流为常量 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 最大整流电流IF：平均电流 最高反向工作电压UR：瞬时值 反向电流IR： IS，是对温度很敏感的参数 最高工作频率fM：结电容作用的结果 三个工作区域：放大区、截止区、饱和区 开关特性 数字电路 模拟电路 极限参数：最大集电极功耗PCM＝ICUCE 最大集电极电流ICM，c-e间击穿电压UCEO 一、放大的概念 放大的对象：变化量 放大的本质：能量的控制 放大的特征：功率放大 放大的基本要求：不失真，放大的前提 4.最大不失真输出电压Uom 5.最大输出功率Pom和效率η