模拟电子胶片1.ppt

1. 杂质对半导体导电能力的影响显著. 2. 半导体导电能力对温度的反应灵敏. 3. 光照影响半导体的导电能力. 4. 电阻率的数值比金属大. 本征半导体：纯净的单晶半导体(无杂质、无缺陷) 载流子 ：参与导电的粒子 自由电子：共价键上的电子挣脱束缚后的名字 空穴：共价键上的电子挣脱束缚后,在原来位置上的空位 电子空穴对：在本征半导体中激发出一个自由电子,同 时产生一个空穴,电子和空穴总是成对产 生,称为电子空穴对 本征激发:半导体中共价键分裂产生电子空穴对的过程 漂移电流 扩散电流 反向击穿 特性曲线和符号 主要参数 稳定电压： 动态电阻： 稳定电流： 额定功率： I T 是输入变压器.其作用是使前级能得到合适的负载. OT 是输出变压器.其作用是功率放大晶体管得到最佳负载,以获得足够大的功率输出. 两个变压器均起阻抗变换的作用,达到阻抗匹配的目的. 电阻Rb1 、Rb2 和Re构成了使工作点稳定的分压式电流负反馈偏置电路. 1. 在半导体里加入少量的杂质,电阻率显著减小,导电能力大大增加. 2. 对于环境温度的变化 , 金属的电阻率变化较小 , 而且随着温度的升高 电阻率增大.而半导体的电阻率随着温度的升高而减小,也就是半导体 导电能力大大增强了. 3. 金属放在阳光下或暗处 , 其导电能力基本没有什么变化 . 而半导体的 导电性能却与光照有很大关系 . 如 : 光敏电阻 . 光电晶体管等. 4. 金属的电阻率很小 , 只有10-2 --- 1欧姆.毫米2/米 .而半导体的电阻率 一般在10 --- 1013欧姆.毫米2/米. 分压式电流负反馈偏置放大电路 Ec=+24V RC1 3.3k C2 = 50μ RB1 10k C1= 50μ CE = 100μ RB2 33k RE1 1.5k T 分压式放大电路 Ec ui RC C2 RB2 C1 CE1 RB1 RE I1 = IB + I2 IBI2 I1≈I2 = VB2 = I2RB2 = VBE = VB2 - VE Ec RB1 + RB2 RB2 RB1 + RB2 Ec T I1 I2 IB 电路图 射极输出器 Ec V i Rc C2 C1 . Rb V o ? 静态工作点 电路图 Ib ?? Ec Rb + (1 +β)Re Ie = (1 +β)Ib Ve = IeRe Vce = Ec - Ve 射极输出器 电压放大倍数 微变等效电路图 rbe βIb Ic Ib Rb Rc V i V o ? ? ? ? o ? V Av = = = V i ? Ib (1 +β)Re ? Ibrbe + IeRe ? ? ? (1 +β)Re rbe + (1 +β)Re 多级放大电路的连接方式 1.直接耦合 2.阻容耦合 3.变压器耦合 耦合 耦合方式 在多极放大电路中, 每两个单级放大器 之间的连接方式 阻容耦合多级放大电路 Ec ui RC1 C2 RB2 C1 C3 CE1 CE2 RC2 RB1 RE1 RE2 R/B1 R/B2 直接耦合放大大电路 E C u i RC1 R B2 C E1 C E2 RC2 R B1 R E1 RE2 R B3 R B4 静态工作点的移动对输出波形的影响 UCE Ic t uCE 0 UCE Ic t uCE 0 UCE Ic t uCE 0 振荡电路-电容三点式 EC RC C2 RB1 C1 CE RB2 RE T C1 C2 变压器功率放大器-甲类功率放大器 Ec V i Rb2 Ce Rb1 Re ??? RL ?? Cb Ic t 静态工作点:放大区 变压器功率放大器-乙类推挽功率放大器 ? 1 ui t uB1 uB2 t t ic1 ic2 Ec RL Ic t OTL乙类功率放大电路 ui t +E C R L NPN PNP 交越失真 静态工作点: 放大区与截止区的交界处 OCL乙类功率放大电路 ui t + E C R L NPN PNP - E C R1 R2 D1 D2 RW 集成运算放大器 - + 反相输入端 反相输入端 输出端 理想运算放大器的特点 开环放大倍数AO= ∞ 输入电阻ri=∞ 工作在线形区时，输入电流等于0 工作在线形区时，反向输入端的电位接近于地，称“虚地” 工作在线形区时，反向输入端和同相输入端的电位相等 集成运算放大器 - + R1 Rf υi υo