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2015-08-07 发布于湖北
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年第期( )卷０８０８６２０１５８４６文章编号: ( ) １００１-９７３１２０１５０８-０８０８６-０４真空热蒸发镀CIAS薄膜∗ , , , 任海芳周艳文肖旋郑欣　　 ( , ) 辽宁科技大学材料与冶金学院辽宁鞍山１１４０５１ : , . 摘要采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制代或者大幅降低成本 In Ga 　　 ( ) , 有很多种物理气相沉积技术可制备薄膜, 备 CuIn Al Se CIAS 薄膜并对之进行４５０ ℃真 CIAS ０．７０．３２ . , . 空硒化退火处理结果表明制备的 CIAS 薄膜具有其中真空蒸镀是常用的方法之一真空蒸镀制备 ( ) . , 、 , 黄铜矿结构并且以１１２晶面优先生长真空硒化退 CIAS薄膜的过程可分为一步法两步法和三步法其 , , , , 、、火后薄膜晶体结构更完整晶粒长大成分分布均匀本质是利用真空蒸发设备把和单质分别 Cu In Al Se []９ . . 、、更接近晶体的化学计量比薄膜为型半导蒸发沉积到衬底上等采用 CIAS P S．Marsillac Cu In Al , , , , 体退火后的薄膜禁带宽度减小至１．３８ eV 带电粒子和单质源共蒸法也称为一步法在加热到