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Nand Flash 驱动详解 1 nand_chip 结构 位于 \include\linux\mtd\nand.h，是NandFlash 驱动的一个核心数据结构。 IO_ADDR_R/IO_ADDR_W：读写Flash的地址，本系统中，该地址为0CS3） read_byte / write_byte ：读写字节的函数，根据数据总线的不同，可分别使用nand_read_byte16或nand_read_byte / nand_write_byte16或nand_write_byte read_word / write_word ：读写字的函数，具体使用nand_read_word / nand_write_word实现 read_buf / write_buf ：读写缓存的函数，根据数据总线的不同，可分别使用nand_read_buf16或nand_read_buf / nand_write_buf16 或 nand_write_buf 实现 verify_buf：缓存校验，验证从Flash中读取的内容是否与缓存中一致，根据数据总线的不同，可分别使用nand_verify_buf16 或 nand_verify_buf 实现 select_chip：选择芯片，当参数为0时，置CS3为低，当参数为－1时，置CS3为高。具体由nand_select_chip实现，其实是通过调用hwcontrol实现的。 block_bad：读取指定页的Bad标记（badblockpos处，在使用小块NandFlash时，该变量为5，使用大块的NandFlash时，该变量为0），如果读到的内容为0xFF，则认为该Block未坏。具体由nand_block_bad实现。函数中用到nand_get_device，该函数用于处理多线程同时访问NandFlash的互锁。 block_markbad：具体由nand_default_block_markbad实现，该函数在bbt中将指定偏移所属块标志为坏块，并利用write_bbt函数将其存储到Flash中。最后该函数在坏块的坏块标记（badblockpos）处写入0x00，表示该块为坏块。 hwcontrol：执行命令锁存（NAND_CTL_SETCLE）、地址锁存（NAND_CTL_SETALE）以及片选信号控制（NAND_CTL_CLRNCE、NAND_CTL_SETNCE）等命令。其中由于ALE、CLE均是地址线，因此命令锁存、地址锁存只需要改变写地址（IO_ADDR_W）即可，而片选信号控制需要直接控制PC14管脚。具体由at91sam9260ek_nand_hwcontrol实现 dev_ready：具体由at91sam9260ek_nand_ready函数实现，该函数返回Flash的R/B脚状态。 cmdfunc：具体由nand_command函数实现，对于大块的Flash，采用nand_command_lp实现。注意对于写命令，首先得利用read0/read1/readoob命令选中目标数据块 waitfunc：具体由nand_wait函数实现，该函数根据命令的不同设定不同的超时时间。该函数时刻检查R/B管脚或状态寄存器中的R/B位，直到R/B状态进入Ready状态，或总体超时。 calculate_ecc：具体由nand_calculate_ecc函数实现，该函数利用软件法计算256字节的3字节ECC编码。 correct_data：具体由nand_correct_data函数实现，该函数检测并纠正256字节块中的1位错误。 enable_hwecc：具体由at91sam9260ek_nand_enable_hwecc函数实现，使能硬件计算ECC码 erase_cmd ：具体由single_erase_cmd函数实现，擦除指定块。 scan_bbt：具体由nand_default_bbt函数实现。nand_default_bbt函数在调用nand_scan_bbt之前，根据options确定bbt是否存在于Flash中，如果不存在与Flash中，则将this-bbt_td设置为NULL，在nand_scan_bbt中自然会创建一个this-bbt。否则将从Flash中读取bbt。 eccmode：ECC的计算方法，现在采用NAND_ECC_SOFT，意指软件运算，即采用calculate_ecc进行运算，利用correct_data进行校正 eccsize：ECC校准的数据长度，现利用calculate_ecc进行校准，数据长度固定为256字节 eccbyte：ECC校验码字节数，软件校准为3字节 eccsteps：ECC校验的步骤，由于FLASH每页的字节数为