第四章 场效应管及放大电路.ppt

很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 共源极放大电路 uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 s g R2 R1 RG RL d RL RD ro=RD=10k? * 第四章 场效应晶体管 § 4.1 结型场效应管 § 4.2 绝缘栅场效应管（MOS) § 4.4 场效应管的参数和型号 § 4.3 双极型和场效应型三极管 的比较 § 4.5 场效应管的放大电路 一、场效应晶体管(FET)的分类 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) § 4.1 结型场效应管 1、结构 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 二、结型场效应管的结构和工作原理 UGS0, UDS=0V PN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 2、工作原理（以N沟道为例） ID |UGS|越大耗