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本文以K9F1208为例： 一：nandflash 原理以及介绍 NAND FLASH以页（page）为单位进行读写，以块(block)为单位进行擦除。 I/O0~I/O7：数据输入输出，主要用于输入命令，地址，数据和读操作时候输出数据 CLE:命令锁存使能，当高电平有效和WE在上升沿时，命令将被锁存在命令寄存器中。 ALE:地址锁存使能，当ALE为高且we在上升沿时，地址将被锁存。 WP：写保护。 当写入命令或地址时，都需将CE（片选）和WE（写使能）信号拉低，数据在WE信号的上升沿被NAND FLASH锁存。ALE,CLE用来分辨锁存命令或者地址。 2:内部功能结构图： X缓冲锁存：用于行（页）地址 y缓冲锁存：用于列地址 页寄存器：用于数据缓存，当读写某页的时，会将数据先读入/写入此寄存器，大小为528字节。当读数据时，先从NAND FLASH内存单元把数据读到页寄存器，外部通过访问NAND FLASH I/O端口获得页寄存器中数据（地址自动累加）；当写数据时，外部通过NAND FLASH I/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器，写命令发出后才写入到内存单元中 3.nandflash存储单元组织结构： 由图上可值知：每页（行）大小为512字节，外加16字节的额外空间。512B用于存放数据，16B用于存放其他信息（块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等） 4。nandflash操作 操作nand flash时，先传输命令，然后再传输地址，最后读写数据。 根据k9f1208的组织方式可以分四类地址： Column Address、halfpage pointer、Page Address 、Block Address。A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。 Column Address：表示数据在半页中的地址，大小范围0~255，用A[0:7]表示； halfpage pointer：表示半页在整页中的位置，即在0~255空间还是在256~511空间，用A[8]表示；A[8]=00，为上半页，=01为下半页 Page Address表示页在块中的地址，大小范围0~31，用A[13:9]表示； Block Address表示块在flash中的位置，大小范围0~4095，A[25:14] 表示 ? ? ? 4.1??? read1：通过将00h、01h指令写入指令寄存器，接着写入3个地址(1个列地址，2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存，下面的页读操作就不需要再重复写入指令了。写入指令和地址后，处理器可以通过对信号线R/B的分析来判断该操作是否完成。 4.2? read2：发出命令字节50H，4个地址序列，等待R/B引脚为高电平，最后读取数据。此时读取的数据为512~527的数据。 4.3? 复位指令：发出命令为FFH，终止当前操作，指令寄存器被清零，等待下一条的操作。 4.4? page program:写入必须在擦除之后，否则写入将出错.分为2个周期完成，发出80H后，紧接着是4个地址序列，然后向flash中发送数据。它们首先被写入器件内的页寄存器，然后发出10H命令启动内部写命令。内部写入操作开始后，器件自动进入“读状态寄存器”模式。在这一模式下，当RE和CE为低电平时，系统可以读取状态寄存器。可以通过检测R/B的输出，或读状态寄存器的状态位(I/O 6)来判断内部写入是否结束。在器件进行内部写入操作时，只有读状态寄存器指令和复位指令会被响应。当页写入操作完成，应该检测写状态位(I/O 0)的电平。 4.5 块擦出：命令字节为60H和D0H，此时地址为A14~A25有效。a9~a13被忽略。 二：s3c2440中的nandflash 控制寄存器： 1：相关寄存器： NFCONF:配置寄存器：用来设置时序参数TACLS,TWRPH0,TWRPH1,数据位宽等 NFCONT：控制寄存器：用来设置使能或禁止nandflash控制器、控制引脚信号，初始化ECC NFCMMD:命令寄存器： NFADDR:地址寄存器：当写这个寄存器时，将向FLASH发送地址信号 NFDATA:数据寄存器：只用到低8位，读写此寄存器将启动对nandflash的读写数据操作 NFMECCD0/1:主数据区域ECC寄存器： NFSECCD：空闲区域寄存器： NFSTAT:操作状态寄存器：0：busy 1：ready 2：读写操作次序： 设置NFCONF,NFCONT,向NFCMMD寄存器中写入命令，向NFADDR中写入地址。 读写数据：通过寄存器NFSTAT检测nandflash的状态，在启动某个操作后，应该检测rb信号以确认该操作时候完成，时候成功。