绝缘层硅SOI技术与市场.ppt

使用 SOI 材料产品的好处 高速成长、规模庞大的SOI材料市场 复合成长率CAGR : 47% (2004–2010) (五年将成长七倍) 转折点: 2007- 2010 市场规模: 2000 $ 100M (Infant) 2003 $ 270M 2004 $ 400M 2005 $ 1,058M (Middle) 2007 $ 4 B 2008-2010 $ 8B (Mature) SOI 材料产品分类 主要厚膜 SOI 制造商 USA Silicon Genesis and Umicore Analog Device (acquired BCO Technologies; US$150M) Isonics (acquired Silicon Evolution, Inc.) Japan Etsu Handotai Co., Ltd. European Union Okmetic TRACIT Technologies and SOITec 薄膜 SOI 市场分布 SOITec (France): Unibond Smart Cut Process (market share70%) Ibis Tech. (US; joint venture - IBM): SIMOX process (market share 15%) Canon (Japan): Eltran Process (market share 10%) IC代工市场较量: SOI 技术 IC代工市场成为九十纳米技术竞技场 SOI 技术为九十纳米技术发展的首要关键 美国具SOI 技术的代工厂 IBM American Semiconductor, Inc. Honeywell 亚太地区的台积电、联电、特许、中芯国际、宏力等皆加强SOI 技术，急起直追。 SOI技术的根基︰SOI 硅片材料 SOI 材料市场成长趋动力 纳米技术在IC代工厂及整合组件厂的采用 (预期2008年后，SOI 成为必须使用的材料) IC代工厂客户的要求 (例: VIA, NVIDIA) 高性能、低消耗能量便携式计算机的需求 计算机产品无线通讯功能的需求 汽车工业高温电子智能控制的需求 航空太空工业的需求 Smart-Cut Process? 硅片键合技术(Wafer Bonding Technique) 硅片键合技术是利用原子间的键合力将两片光滑平坦的硅片材料，于高洁净环境下做初步结合，再进一步使此两片硅片之表面原子反应，产生共价键合，让两平面彼此间的键合能(Bonding energy)达到一定强度，使两片硅片纯靠原子键结成为一体。 这项结束优点为可适用于不同晶格，不同种类的单晶或多晶材料，且其接合界面可保持绝对的纯净，避免无预期的化学粘结物及杂质污染。 Smart Cut薄膜剥离转移机制 SOI制程分析 Smart Cut 存在的问题 在键合强度未达到足以抵抗氢离注入层的剥离作用力，温度常需控制在剥离温度450℃下，否则会造成键合能不足而使键合失败。 加热温度需高于500℃以下，方可确保有预期的薄膜分离结果。假若键合材料的热膨胀系数存在较大的差异，高温时即产生一热应力，破坏键合结构。此现象往往在转移异质材料过程中，薄膜尚未转移，就发生热应力过程使键合结构破裂。 一般加热方式是将热能转为动能，转换效率低，需耗较大的能量进行，增加其成本。 对某些材料，如氧化铝基板，由Smart Cut制程中之一般加热处理，无法产生明显的微气孔以达到薄膜转移目的。 下一代硅材料的研发 SOI + Epitaxy * Confidential * 绝缘层上硅(SOI)技术与市场 SOI 材料能大幅提升电子组件整体性能 SOI 材料减少漏电流， 达到降低能量消耗以及减少发热，降低温度目的 SOI 材料防止闪锁效应，增加电子组件的可靠性 SOI 材料消除寄生电容，加快电子运行速率 Source: Gartner Dataquest, Defense Production Act Title III, Rose Associates, and USOI market research 规格: 50~70纳米 Smart-Cut + Oxidized Etching 供货商: 2 产品应用范例: CPU (12” based) Demand: +++ eSOI IS-SOI TM-SOI 超薄膜 SOI 规格: 0.5~1.0 微米 Smart-Cut / SIMOX 供货商: 5 产品应用范例: CPU (8” based) Demand: + eSOI TM-SOI 薄膜 SOI 规格: 1.0~15 微米 Smart-Cut/