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旁热式高压合成腔体内温场分布的有限元模拟.pdfVIP

旁热式高压合成腔体内温场分布的有限元模拟.pdf

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金属学与金属工艺

2009年4月 金刚石与磨料磨具工程 Apr.2009 第 2期 总第 170期 Diamond AbrasivesEngineering No.2 Seria1.170 文章编号:1006—852X(2009)02—0009—04 旁热式高压合成腔体 内温场分布的有限元模拟 李 瑞 韩奇钢 贾晓鹏 马红安 任国仲 刘景和 (1.长春理工大学 材料科学与工程学院,长春 130022) (2.吉林大学 超硬材料国家重点实验室,长春 130012) (3.湘潭大学 材料与光电物理学院,湖南湘潭411105) 摘 要 本文借助有限元模拟方法,揭示了高压合成金刚石工艺过程申的温场分布特征。在忽略大形 变的近似条件下,数值模拟让我们能够观察到在高压极端条件下无法实际测量到的定量信息。直观的 数值结果表明:在 “旁热式”腔体 内,外围石墨管处温度最高,中心次之,两端最低。这为进一步的工艺 设计提供 了理论依据 。经比较发现 :“旁热式”高压合成腔体 内的温度差低于 “直热式”近 25%。 关键词 高压合成;有限元模拟 ;“旁热式”工艺;温度场 · 中图分类号 TQ164 文献标识码 A FiIliteelementsimulation on distributi0n 0ftemperaturein theHPHT synthesischamberwith sidewardheater LiRui HanQigang JiaXiaopeng MaHongan RenGuozhong LiuJinghe (1.InstituteofMaterialsScienceanclEngineering,ChangchunUniversity ofScienceandTechnology,Changchun130012,China) (2.NationalLabofSuperhardMaterials,JilinUniversity,Changchun130012,China) (3.FacultyofMaterialsPhotoelectronicPhysics,XiangtanUniversity,Xiangtan411105,China) AbstraCt、The temperature distribution in the diamond synthesiscellofsideward heaterwas investigated 、 theoreticallybyfiniteelementmethod(FEM).Byignoringthebigdeformation,theknowledgeoftemperature distribution,whichisverydifficulttomeasureexperim~:ntallyunderhighpressure,canbecomputedandrevealed toUS.Ourresultsshowedthatthetemperatureon theoutsidegraphitetubewasthehighest;inthecentral was lower,andatthetwosides(upanddown)wasthelowest.Furthermore,thetemperaturedifferenceindiamond synthesiscellofsidewardheaterissmallerthanthatofverticalheaterbynearly25%.Thiswouldrgeatlyhelpto designnew diamon

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