单模激光二极管.docVIP

单模半导体激光二极管 （济南福来斯光电技术有限公司，flsoe@） 1 前言 当前人类正进入信息和智能化的时代。以光电子、微电子为基础的通信和网络技术已成为高技术的核心，正在深刻地影响着国民经济、国防建设的各个领域，成为世界发达国家竞相发展的高新技术，其中以半导体激光二极管起着举足轻重的作用。 2半导体激光器的制备工艺[32，33] 半导体激光器的寿命与其制备工艺密切相关，每一步工艺都可能对其可靠性产生重大影响。为研究其寿命和失效机理，首先应了解器件的制备工艺。尽管各种半导体激光器的结构设计不同，制作工艺存在差别，但都大同小异。基本工艺应包括：衬底的选择和制备、外延生长、化学腐蚀、扩散、电极制作、解理或划片、装架制管、老化筛选、封装耦合、终测等。 2.1管芯制作工艺（前工艺） 衬底是用于外延生长的基片。由于外延生长的质量明显地受衬底结晶质量的影响，因此要求衬底应该具备规定的晶向及一定的偏离范围；一定的厚度；适宜的掺杂浓度；表面光亮、平整、无划痕；内部基本无位错或是低位错。这就需要选择一定掺杂浓度的低腐蚀的单晶材料作衬底并对其进行精细抛光。 外延生长就是在衬底片上生长多层的二元或多元化合物或合金（固溶体），以使其形成同质结或异质结。外延生长技术有液相外延（LPE）、气相外延(VPE)、有机金属化合物化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等，它是决定器件性能、成品率和可靠性的