内存芯片识别方法.docVIP

1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识； GM72V*****1**T** GM为LGS产品； 72为SDRAM； 第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit； 第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0； 第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个； 第6个*代表是第几个版本的内核； 第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通； “T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装； 最后的**代表速度： 7：7ns(143MHz) 7：7.5ns(133MHz) 8：8ns(125MHz) 7K：10ns(PC100 CL23) 7J：10ns(PC100 CL3) 10K：10ns(100MHz) 12：12ns(83MHz) 15：15ns(66MHz) 2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识 HY5*************-** HY为现代产品， 5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM； 第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏； 第3-5个*代表容量和刷新速度： 16：16Mbit，4k Ref 64：64Mbit，8k Ref 65：64Mbit，4k Ref 128：128Mbit，8k Ref 129：128Mbit，4k Ref 256：256Mbit，16k Ref 257：256Mbit，8K Ref 第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位； 第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank； 第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口； 第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新； 第11个*如为L则为低功耗，空白为普通； 第12，13个*代表封装形式； 最后几位为速度： 7：7ns(143MHz) 8：8ns(133MHz) 10P：10ns(PC100 CL2/3) 10S：10ns(Pc100 CL3) 10：10ns(100MHz) 12：12ns(83MHz) 15：15ns(66MHz) 3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识； MT48****M**A*TG-*** MT为Micron的产品； 48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM； M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位； Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量； A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装； 最后的**代表速度： 7：7ns(143MHz) 75：7.5ns(133MHz) 8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好； 10：10ns(100MHz CL=3)； 例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。?? 如何根据内存芯片标识识别内存(二) ---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。??一、现代SDRAM内存芯片的识别??---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:??HY 5X X??? XXX XX X X X X XX - XX????? ???? ⑩??---- “HY”表明是现代的产品。??---- 代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。??---- 代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。??---- 代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。??---- 代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。??---- 代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。??---- 代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。??---- 代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“