wjq第2章-2.2-存储器.pptVIP

2.2 微机的内外存储系统 及半导体存储器 主 要 内 容 半导体存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 CPU与存储器的连接 微机中存储系统的结构 半 导 体 存 储 器 的 分 类 随机存取存储器 双极性半导体RAM 动态金属氧化物（MOS)RAM 读写存储器 掩膜式ROM 可编程ROM(PROM,Programmable ROM) 可擦除的PROM（EPROM，Erasable Programmable ROM） 电可擦除的PROM（E2PROM，Electrically Erasable Programmable ROM） 随 机 存 取 存 储 器 静态RAM（SRAM) 基本的存储电路 典型的静态RAM芯片 hy6116（2KB×8位） IS61LV25616(3.3V) 256kX16B 6264（8KB×8位） 62256（32KB×8位） 628128（128KB×8位） 随 机 存 取 存 储 器 动态RAM（DRAM,SDRAM,DDRAM) 单管动态存储电路 动态RAM的刷新 为保持电容中的电荷不丢失，必须对动态RAM不断进行读出和再写入 随 机 存 取 存 储 器 动态RAM（DRAM) 64K位动态RAM存储器，按行列寻址 芯片2164A容量：64K×1位， 65536个存储单元， 每个单元1bit。 　　16位地址线：８位行地址　＋　８位列地址 芯片的地址引线只要8条：按行刷新。 随 机 存 取 存 储 器 　64K存储体由4个128×128的存储矩阵构成。每个128×128的存储矩阵，有7条行地址和7条列地址线进行选择。7条行地址经过译码产生128条选择线，分别选择128行；7条列地址线经过译码也产生128条选择线，分别选择128列。 只 读 存 储 器 只读存储器ROM 特点：非易失性，信息可长期保存，掉电也不会丢失； 用途：保存固定的程序和数据； 工作状态：ROM中的信息只能读出，不能写入； 可编程的ROM芯片：可用特殊方法将信息写入， 　　　　　　　　　　该过程被称为“编程”； 可擦除的ROM芯片：可采用特殊方法将原来信息擦除， 　　　　　　　　　　以便再次编程。 只 读 存 储 器 掩膜式ROM 掩膜式ROM一般由生产厂家根据用户的要求定制的。 只 读 存 储 器 可编程的ROM 出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写入1，则向位线送高电平，此时管子截止，熔丝将被保留；若准备写入0，则向位线送低电平，此时管子导通，控制电流使熔丝烧断。换句话说，所有存储单元出厂时均存放信息1，一旦写入0使熔丝烧断，就不可能再恢复。 只 读 存 储 器 可擦除可编程的ROM（EPROM） 特点：芯片的上方有一个石英玻璃的窗口，通过紫外线照射，芯片电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光电流泄漏走，使电路恢复起始状态，从而将写入的信号擦去。 只 读 存 储 器 可擦除可编程的ROM（EPROM） 原理： 在N型的基片上安置了两个高浓度的P型区，它们通过欧姆接触，分别引出源极（S）和漏极（D），在S和D之间有一个由多晶硅构成的栅极，但它是浮空的，被绝缘物SiO2所包围。 只 读 存 储 器 可擦除可编程的ROM（EPROM） 出厂时，硅栅上没有电荷，则管子内没有导电沟道，D和S之间是不导电的。当把EPROM管子用于存储矩阵时，它输出为全1（或0）。要写入时，则在D和S之间加上25V的高压，另外加上编程脉冲（其宽度约为50ms），所选中的单元在这个电源作用下，D和S之间被瞬时击穿，就会有电子通过绝缘层注入到硅栅，当高压电源去除后，因为硅栅被绝缘层包围，故注入的电子无处泄漏走，硅栅就为负，于是就形成了导电沟道，从而使EPROM单元导通，输出为“0“（或”1“）。 只 读 存 储 器 可擦除可编程的ROM（EPROM） 典型芯片： Intel 27512 AMD27512 特性：64K×8的EPROM芯片， 28脚双列直插式封装， 地址线为16条A15～A0， 数据线8条O7～O0， 带有三态输出缓冲， 读出时只需单一的＋5V电源。 只 读 存 储 器 可擦除可编程的ROM（EPROM） 内 部 结