霍尔元件传感器原理.pdfVIP

2008-01-05 18:55 一、霍尔元件的工作原理： 霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 二、霍尔元件的特性： 1、霍尔系数 （又称霍尔常数）RH 在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流 I和磁感应强度 B的乘积成正比， 与霍尔片的厚度 δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的 RH称为霍尔系数，它表 示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ 即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率 ρ与电 子迁移率 μ的乘积。 2、霍尔灵敏度 KH（又称霍尔乘积灵敏度） 霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度 δ成反比，即KH=RH/δ，它通 常可以表征霍尔常数。 3、霍尔额定激励电流 当霍尔元件自身温升 10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。 4、霍尔最大允许激励电流 以霍尔元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。 5、霍尔输入电阻 霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。 6、霍尔输出电阻 霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。 7、霍尔元件的电阻温度系数 在不施加磁场的条件下，环境温度每变化 1℃时，电阻的相对变化率，用α表 示，单位为%/℃。 8、霍尔不等位电势 （又称霍尔偏移零点） 在没有外加磁场和霍尔激励电流为 I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差 称为不等位电势。 9、霍尔输出电压 在外加磁场和霍尔激励电流为 I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为 霍尔输出电压。 10、霍尔电压输出比率 霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率 11、霍尔寄生直流电势 在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外， 还有一直流电势，称寄生直流电势。 12、霍尔不等位电势 在没有外加磁场和霍尔激励电流为 I的情况下，环境温度每变化 1℃时，不等位 电势的相对变化率。 13、霍尔电势温度系数 在外加磁场和霍尔激励电流为 I的情况下，环境温度每变化 1℃时，不等位电势 的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。 所谓霍尔效应所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时、半导体中的载流子时，产生横向电位差的，产生横向电位差的 所谓霍尔效应所谓霍尔效应，，是指磁场作用于载流金属导体是指磁场作用于载流金属导体、、半导体中的载流子时半导体中的载流子时，，产生横向电位差的产生横向电位差的 物理现象物理现象。金属的霍尔效应是。金属的霍尔效应是 1879 年被美国物理学家霍尔发现的年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片。当电流通过金属箔片 物理现象物理现象。。金属的霍尔效应是金属的霍尔效应是 年被美国物理学家霍尔发现的年被美国物理学家霍尔发现的。。当电流通过金属箔片当电流通过金属箔片 时，时，若在垂直于电流的方向施加磁场若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的。半导体中的 时时，，若在垂直于电流的方向施加磁场若在垂直于电流的方向施加磁场，，则金属箔片两侧面会出现横向电位差则金属箔片两侧面会出现横向电位差。。半导体中的半导体中的 霍尔效应比金属箔片中更为明显霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应以下将呈现极强的霍尔效应。。 霍尔效应比金属箔片中更为明显霍尔效应比金属箔片中更为明显，，而铁磁金属在居里温度而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应以下将呈现极强的霍尔效应。。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差。霍尔电位差 UH 的基本关系为的基本关系为 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。。霍尔电位差霍尔电位差