模电试卷二及答案.docVIP

试卷二 系别 学号 姓名 成绩 考试课程 模拟电子技术基础 考试日期 2002 年 １２ 月１２日 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 总分 分数 得分 核分人 阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( C )。 A．掺杂浓度　　 B．工艺　 C.温度　　 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )。 A．正向导通状态　　 B．反向电击穿状态　　 C．反向截止状态　 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，C A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( A )。 A．β和ICBO增大，UBE下降 B．β和UBE增大，ICBO减小 C．β减小，ICBO和UBE增大 D．β、ICBO和UBE均增大