Si基GaN+LED可靠性的研究.pdf

摘要 摘 要 近几年来，在硅(Si)衬底上生长GaN材料已经取得了很大的进展，并己制作 出功率型的Si基GaN蓝绿光发光二极管(LED)。众所周知，器件的可靠性直接 关系到技术的商业价值与产业化，因此，Si基GaNLED可靠性的研究就显得尤 为重要。然而Si基GaNLED作为一种全新的产品，其可靠性仍需做进一步的研 究与分析。 本文主要研究了Si基GaNLED芯片在大电流老化下的光电性能和抗静电性 能。获得了如下一些有意义和部分有新意的结果： 1． 芯片的优化老化条件，且其老化结果与常规老化电流老化的结果吻合较好。 2．用人体模式和机器模式两种模式对GaN／SiLED芯片进行静电打击，结果 表明200V机器放电模式和1200V人体放电模式下的效果是相近的，且机器放电 模式下的试验条件更为苛刻，因此ESD实验一般选择人体放电模式。而且在人 体模式下，不同的ESD电压对老化结果没有显著的影响。 3．对比有无反射镜的功率型蓝光LED芯片(芯片尺寸400“m×600¨m)进行 1200V人体放电模式的静电击打试验，两者的静电通过率接近，说明反射镜的制 作在提高光强的同时对芯片的抗静电性能影响不明显。 4．对本实验室在Si(11 功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20mA的电流下 速老化216小时后，有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED，本文把这 一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时，降低了芯片本身的温度。 以上研究结果已经在本实验室产业化基地晶能光电(江西)有限公司硅衬底 LED质量表征中采用。 本论文得到了国家863计划半导体照明专项和信息产业电子发展基金资助。关 键词：Si；GaN；LED：大电流老化；静电 ABSTRACT ABSTRACT ofGaNonSisubstratehasmade is Recently,growth greatprogress，itreported that GaN／SiLEDhave highpower beenfabficmed．Itisknownthatthe of reliability devicesisconnectedtocommercialvalueand ofan study manufactorytechnology,SO on ofGaN／SiLEDisfarfrom asabrand—new properties important．But product， and onGaN／SiLEDisstillneeded． studyanalysis Inthis and electrostatic ofGaN dissertation，photoelectric dischargeproperties basedLED onSisubstrateafter at directcurrentarestudied．Some chips aginghigh andinnovativeresultsachievedare significant following： 1．Accelerated WascarriedforLED of