蓝绿光LED管芯表面钝化膜特性研究.pdfVIP

芯片、器件、封装与模组技术 and for Module TechnologiesChip．Device，Packaging E 蓝绿光LD管芯表面钝化膜特陛的研究 沈燕1，刘青1，蔺福合1，王英1，李树强L2，徐现刚1，2 250101 8359 1山东华光光电子有限公司，济南市高新区天辰大街1 00 2山东大学晶体材料国家重点实验室，济南市历城区山大南路27-雪-2501 摘要：蓝宝石翘底GaN基蓝绿光LED管芯因其表面双电极特点。部分pn结区裸露在管芯表萄覆盖一丢透明的介 员嗅．一方面能有效保护芯葛结区不被污染．一方面还能优{匕芯片的光特性。本文主要研究了不哂镀暌方式钝 化膜．不固栩料组成钝{艺膜对蓝绿光芯专魄光电特性的影响。氧化硅薄嗅中生长过程中含氧量越高．薄嗅的透 过率也越好．LED芯片的发光强壹越高， 。 关键酒：Ga～；LED；钝化嗅；电子束蒸发；PECVD 前言 衬底不导电，LED管芯的一部分区域会有一个自上而 半导体照明具有绿色、环保、节能等优点，蓝光 下由P型GaN：至IJN型GaN的台阶，在台面做上N电极。 如图1。 LED在白光照明上又具有不可或缺的优势【1】。GaN 基蓝绿光LED因照明和屏显两大市场潜力在最近的 十年间得到了迅速的发展【2】。蓝宝石衬底GaN基 蓝绿LED因衬底材料不导电，LED管芯工艺中PN电 极在同一侧，这就使得蓝绿光芯片部分pn结区裸露 【3】。这部分裸露的pn结很容易被导电的颗粒或杂 质污染，而影响到器件的可靠性。 【4】在LED管芯 图1 常规GaNLED管芯结构 工艺上会在芯片的表面覆盖上一层透明的介质薄膜， 有效保护发光区提高芯片器件的可靠性。 【5】 图1LED结构中，N型台阶侧壁裸露着有源区，在 本文从GaN基蓝绿光LED管芯钝化膜人手，主要管芯封装打线、固晶过程中，很容易被沾染上导电金 研究了不同镀膜方式得到的氧化硅薄膜对蓝绿光 属，而使的管芯短路。因此，常在蓝光LED表面镀上 LED管芯光电参数的影响，同时也对比分析了不同材 一层透明介质膜，保护芯片侧壁减少漏电，同时对芯 料组分钝化薄膜对蓝绿光的吸收穿透特性。由不同镀 片出光面也有一定的钝化作用，提高可靠性。 膜方式生长得到的透明介质膜的宽波段光透过率以 及对应管芯钝化膜的发光强度值来看，电子束蒸发镀 1—1不同镀膜方式钝化膜研究 的氧化硅薄膜其在蓝绿光段透明性更优，PECVD化 LED管芯表面透明介质膜一般为Si02，薄膜 学方式得到的薄膜受沉积薄膜条件影响变化明显，膜 的最常见制备方法有电子束蒸发、PECVD沉积。 含量量与其透明性成正比例关系。 【6】两种镀膜方式在原理上有本质的区别，电子 束蒸发是通过热电子轰击源使其蒸发成薄膜，是一种 1主要研究工作 物理方法获得薄膜的方式。PECVD是等离子体增强