掺杂硅纳米线的光电特性.pdfVIP

维普资讯 第 l4卷专辑 l 中国有色金属学报 2004年 5月 V01．14Sl TheChineseJournaJofNonferrousMetals M ay 2004 文章编号 ：1004—0609(2004)S1—0398—06 掺杂硅纳米线的光电特性① 唐元洪 ，裴立宅 (湖南大学 材料科学与工程学院．长沙 410082) 摘 要 ：采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链，并运用透射电子显微镜 (TEM)、近边x射 线吸收精细结构光谱 (NEXAFS)、x射线光电子能谱 (XPS)及场发射 (FE)测量等对其进行 了研究 。结果表明：硅 纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成，磷不仅存在于硅纳米线的核心内，也存在于二氧化 硅与硅核心的相界面上；硼掺杂硅纳米链 的外部直径约为 15nm，由直径 l1nm 的晶核和 2nm 的无定形氧化物 外层构成的晶格所组成 ，其粒间距为 4nm，硅纳米粒子链的阀值场强为 6V／k~m，优 于未掺杂 的硅纳米线的阀值 场强 (9V／k~m)。x射线光吸收谱可以补充提供常规电流一电压测量得不到的信息 ，并提示掺杂分布的细节。 关键词 ：硅纳米线；硅纳米链 ；掺杂；光电特性 opt0electr0niccharacteristicsofdopedSinanowires TANG Yuan—hong，PEILi—zhai (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，HunanUniversity，Changsha410082，China) Abstract：Phosphorus—dopedsiliconnanowire(P—SiNW)andboron—dopedsiliconnanoparticlechain(B-SiNC)syn— thesizedbyusinglaserablationmethodwereinvestigatedbytransmissionelectronmicroscopy(TEM )，high resolu— tion transmission electron microscopy(HRTEM )，nearedgeX—ray absorption fine structure spectroscopy(NEX— AFS)，X—rayphotoelectron spectroscopy(XPS)andfieldemission measurementetc． Theresultsshow thatthe nanowiresareencapsulatedwithinasilicalayerandthatthecoresofthenanowiresarecrystallinesilicondopedwith phosphorus．PhosphorusisfoundtObeinsidethecoreoftheSiwireandattheinterfaceofsilicaouterlayerandsili— concore．TEM andHRTEM show thattheouterdiametersofthenanoparticlesarearound15nm andthenanoparti— cleshaveperfectlatticeswith 11nm crystallinecoreand2nm amorphoussilicaouterlayerwhilethedistanceofthe interparticlesis4nm．Field—emissionmeasurementshowth