沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 17卷第 8期 中国有色金属学报 2007年 8月 、b1．17No．8 TheChineseJournalofNonferFou$Metals Aug．2007 文章编号：1004．0609(2007)08．1336．06 沉积参数及退火条件对AIN薄膜电学性能的影响 周继承，胡利民 (中南大学 物理科学与技术学院，长沙410083) 摘 要：利用射频反应磁控溅射在 Si(100)基底上沉积AIN介质薄膜，并在不同温度下对薄膜进行快速退火。通 过抗电强度测试仪、电容电压测试C一-、x射线衍射仪、电子能谱仪、原子力显微镜和椭圆偏振仪等研究薄膜的 击穿电压、介电常数、晶体结构、化学成分、表面形貌及薄膜的折射率。结果表明：溅射功率和溅射气压对薄膜 的击穿电压有很大的影响，溅射功率为250W，气压为O-3Pa时薄膜的抗电性能较好；薄膜的成分随溅射气压发 生变化，N与Al摩尔比最高达到0．845；随退火温度的增加，薄膜晶体结构发生非晶一闪锌矿一纤锌矿的转变： 薄膜的折射率随退火温度的升高而增加。 关键词：A1N薄膜：磁控溅射：击穿电压；快速退火 中图分类号：TN304．055；TN305．8 文献标识码：A EffectofdepositionparametersandRTA conditionson electricalpropertiesofAIN thinfilms ZHOU Ji·cheng，HU Li—min (SchoolofPhysicsScienceandTechnology,CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：A1NdielectricthinfilmsweredepositedonNtypeSi(1oo)subsrtatebyreactiveradiorfequencymagnerton sputteringunderdifferentsputtering—powerandtotalpressure、Andrapidthermalannealing(RTA)waspreformedon thesefilmsrespectivelyfor5minunderdifferenttemperatures．Thebreakdownvoltage，permittiviyt,crystalstructure， composition，surfaceandrefractiveindexofthethinfilmswerestudiedby C-V,XRD，EDS，AFM andelliptical polarization instrument．Th eresultsshow htatthebreakdown voltageofthe thin filmsstrongly dependson the sputtering-powerandtotalpressure,thegreatestbreka downvoltageisfoun dat250W and0．3Pa，EDSanalysisshows tllatthemoleratioofN toAlofA1N thinfilmschangeswithtotalpressure．andreachesitspeakvalueof0．845at0．3Pa． Th ecrystalstructureoftheas．depositedthin—filmsiSamorphous．thenitrtansfomr s仔om blendestr