镀层表面锡晶须自发生长现象的研究进展.pdfVIP

镀层表面锡晶须自发生长现象的研究进展.pdf

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中国有色金属

第 2l卷第5期 中国有色金属学报 2011年5月 、,01.2lNo.5 TheChineseJournalofNonferrousMetals May2011 文章编号:1004-0609(2011)05—1021.10 镀层表面锡晶须 自发生长现象的研究进展 石红昌,冼爱平 (中国科学院 金属研究所 沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 110016) 摘 要:镀层表面锡晶须 自发生长是材料科学中一个受到长期关注的科学现象。随着近年来电子器件无铅化的发 展,锡晶须问题 日益突出。对于高密度电子封装技术,由晶须 自发生长引起的短路和电子故障问题对电子产品的 可靠性构成了潜在的威胁。因此,研究锡晶须的生长规律,阐明锡晶须的生长机理,探寻抑制锡晶须生长的技术 手段成为当前研究的热点。总结了近年来国内外对锡晶须生长现象的一些相关研究,主要包括锡晶须的生长行为、 各种影响锡晶须生长的因素、近年来晶须生长机制方面的新进展、锡晶须生长趋势的评估方法以及工业上抑制晶 须生长的一些技术措施等。 关键词:电镀;锡晶须;生长机理;无铅焊料 中图分类号: TQ153.13 文献标志码:A Researchdevelopmentof tinwhiskerspontaneousgrowthonplatingsurface SHIHong-chang,XIANAi—ping (ShenynagNationalLaboratoryforMaterialsScience,InstituteofMetalResearch, ChineseAcademyofSciences,Shenyang110016,China) Abstract:Thespontaneousgrowthoftinwhiskersonplatingsurfaceisascientificphenomenonwhichisfocusedin materialsscienceofrlongtime.Withthedevelopmentoflead—freeinelectronicdevices.theproblemsresultingfrom tin whiskersaregoingup.Thespontaneousgrowth oftinwhiskerscan causeshort—circuitorbreakdown ofelectronic products,whichCna bethepotentialproblemsofrthereliabilityissueofthehighdensiytelecrtonicpackagingtechnology. Therefore,itisallimportantcruxtosutdy theinfluencingfactorsOnwhiskergrowth,seekhtewaytothemitigation whiskergrowth andunderstand themechanism ofwhiskergrowth.Th eresearchesna dnew developmenton the phenomenon ofhtetinwhiskergrowthwerereviewed,whichincludedhtebehaviorsoftinwhiskergrowth,various influencingfactors,recentdevelopmentinthemechanism ofhtewhiskergrowth,hteevaluationwayofrwhiskergrowth rtend,andsomewaytothemitigationwhiskerrgowthintheindustry. K

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