固态输送ZrCl_4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的特征.pdfVIP

第22卷第 1期 中国有色金属学报 2012年 1月 VbI．22No．1 TheChineseJournalofNonferrousM etais Jan．20l2 文章编号：1004—0609(2012)1—0171-08 固态输送ZrCl4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的特征 刘 岗，李国栋，熊 翔，王雅雷，陈招科，孙 威 (中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙410083) 摘 要：采用ZrC14．CH4．H2．Ar反应体系、固态输送ZrC14粉末低压化学气相沉积(CVD)$U备ZrC涂层。研究温度 对低压化学气相沉积ZrC涂层物相组成、晶体择优生长、涂层表面形貌、断面结构、涂层生长速度和沉积均匀性 等方面的影响。结果表明：不同温度下沉积的涂层主要由ZrC和C相组成；随着温度的升高，ZrC晶粒(200)晶面 择优生长增强，颗粒直径增大，表面致密性增加，沉积速率上升；涂层断面结构以柱状晶为主；随着离进料口距 离的增加，涂层的沉积速率逐渐减小；1500℃时，沉积系统的均匀性比1450℃时的差。 关键词：ZrC涂层；温度；低压；化学气相沉积 中图分类号：TQ050．4 文献标志码：A CharacterofZrCfilmpreparedbytransportingsolidZrChduring low pressurechemicalvapordeposition LIU Gang，LIGuo-dong，XIONG Xiang，WANG Ya-lei，CHEN Zhao-ke，SUN Wei (StateKeyLaboratoryofPowderMetallurgy,CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：ZrC film wasdepositedbychemicalvapordeposRionwithZrC14-CH4-Arsystem，andZrC14particleswas rtna sportedinsolid．Theinfluencesoftemperatureonhtephasecomposition，preferentialgrowthofhtecrystals，surface morphology,fracturesurfacemoprhology,depositionrateanddepositionuniformiyt ofhtecoatingswerestudied．Th e resultsshowthathtefilmpreparedatdifferenttemperaturesiscomposedofZrCnadcarbon．Thecrystalplnae(200)of ZrCfilm rgowsup，micro·crystallitesrgowup，htesurfacegetdenselysintered，nadhtedepositionrateincreaseswiht increasingthetemperature．Thecolumnra crystalishtemainbodyofthefracturesurfacestructure．Th edepositionrate decreasesrgaduallywiht increasinghtedistancebetweenhtesamplenadhtefeedsenrtance．Th euniformiyt ofhte depositionsystem at1500℃ isworsehtna htatat 1450℃ ． Keywords：ZrCfilm；temperature；lowpressure；chemicalvapordeposition ZrC是重要的高温陶瓷材料，具有高硬度、高熔 脉冲激光沉积 【¨】、离子注入 【】、液中脉冲放 】、激 点、高热冲击强度、低