带过流和短路保护的IGBT驱动电路研究.pdfVIP

30 《电力电子技术》1997年第1期　1997. 2 带过流和短路保护的 IGBT 驱动电路研究 IGB T D r iv in g an d F au lt Cu r ren t L im it in g C ircu it 浙江大学　丁浩华　陈辉明　(杭州　3 10027) 摘要: 提出了慢降栅压的 IGB T 保护技术; 给出了实现慢降栅压的具体电路及其实验结果。 : Abstract T h e p ap er p re sen t s a nove l dr iver circu it em p loy ing th e techn iqu e o f low ing gate vo ltage , . slow ly w h ich show s sat isfy ing re su lt s 叙词: 绝缘栅双极型晶体管　过电流保护　驱动电路 : ; - ; Keywords IGBT over curren t protect ion dr iv ing c ircu it 1　引　言 干扰能力强。降栅压后设一固定延时, 若延时后 IGB T 的驱动条件对其在过流或短路工作 故障信号依然存在, 则关断器件。故障电流在这 环境下的状态参数有直接的影响。以往的过流 一延时内将被限制在一较小值。故障电流的限 保护方法有软关断和降栅压两种, 它们各有其 制, 降低了故障时器件的功率损耗, 延长了器件 抗短路的时间; 而且能够降低器件关断时的 优缺点。本文在分析 IGB T 失效原因、现有 IG d i B T 过流和保护技术的基础上, 提出了 IGB T 故 d t, 对器件的保护十分有利。在延时中, 若故障 障关断的慢降栅压技术及实现它的具体电路, 信号消失, 驱动电路可 自动恢复正常的工作状 并通过实验对慢降栅压技术进行了验证; 文中 态, 因而大大增强了电路的抗干扰能力。 还讨论了电路参数对 IGB T 故障关断过程中各 从前述分析可看出, 降栅压是一种很好的 电量状态值的影响。 IGB T 故障保护方法, 但在 以往的降栅压 电路 2　慢降栅压技术的实现 中, 往往只考虑了栅压与短路电流大小的关系, 忽略了降栅压的速度。在实际过程中发现, 降栅 IGB T 遇到短路和过流时, 若不加保护或 压的速度直接决定了故障电流下降的速率 d i 保护不当, 就会失效, 其主要原因有超过热极 。控制 , 必须采用慢降栅压技术, 以通过 限、发生擎住效应和超过器件耐压三种[ 1, 2 ] 。为 d t d i d t 限制降栅压的速度来控制故障电流下降的速率 避免这三种失效的发生, 必须对驱动电路采取 , 从而抑制器件的 和 ce 的峰值。图1 适当的措施。通常采取的保护措施有软关断和