固态MO源流量不稳定的原因分析和改进方法.pdfVIP

维普资讯 10一 I 低温与特气 1996 NOl 固态 MO源流量不稳定的原因 分析和改进方法 刊 o f 安 华 。 (化工部光孵1 磊面— 连 儿60n) ^ 务析丁固态Mo源流量不稳定的原园．井设计一种新式M0_碾瓶．试验结果表明．同志Mo源亢装在新式瓶内，可 保 证 在井征过程 中，MO穰靓量稳定和连续供应 ． 主题词；Q瓷 三!薹塑 蜘 ，毒吾攀‘ 1 前 言 MOVPE技术是太规模制备诸如激光 器 、探测器 、太 阳能 电池、超级计算机等复杂 器件所用半导体光 电材料的工业化生产方 法。金属有机化合物 (MO源)是 由载气通入 MO源瓶定量送到生长室，在高温下进行反 应沉积生长出有一定元素比例的半导体化合 物材料 。目前国内外使用的MO源瓶是鼓泡 圈 1 式的，见图1载气经过插入管进入瓶 内与液 态MO源鼓泡接触后 ，载气携带 MO源蒸气 2 原因分析 进入生长室。这种鼓泡瓶基本能保证液态 MO源的流量稳定和连续供应 。但是使用这 产生固态 MO 源流量不稳定的原 因是 种 鼓 泡瓶 充装 固态 MO 源 (如三 甲基 铟 多方面的，如 MO源的质量有 问题 ，产品含 TMIn，熔点 88℃)时，常常发现在使用不久 ， 烷氧基化合物较多。另一方面载气不纯，含 载气带出的三 甲基铟蒸气逐渐减少，甚至带 水、含氧量较高，使 TMIn变成烷氧基化合 不出来。因而无法外延出所设计的半导体材 物 。除上述原因外，主要是鼓泡瓶的结构不合 理，这种鼓泡结构导致了气固两相接触面积 料，这是国内外外延专家们所遇到的共同麻 小，且不稳定。根据TMIn装料方式可分两种 烦。本文就固态 MO源流量不稳定的原因进 情况进行讨论： 行了分析 ，并设计加工出一种新式的适合充 一 种 是 TMIn以升华方 法 装到 瓶 中， 装 固态MO源 的封装瓶 ，实验表 明，使用新 TMIn在瓶内状态如图2所示 。 式瓶可 以保证 固态 MO源流量稳定和 连续 TMIn晶体几乎全部分散凝聚在瓶子四 供应 。 壁 ，载气进入瓶子后 ，与分散在 四壁 的固态 维普资讯 低温与特气 1996 NO1 图4所示 。 B} f L-— J 凰 2