仿真工具ATLAS.ppt

Harbin Engineering University 哈尔滨工程大学微电子实验室 工艺及器件仿真工具 SILIVACO-TCAD 2009.10 ATLAS 电学特性 在这一部分，将对一个NMOSFET器件结构进行器件仿真。 以下将会演示到： 1.产生简单的Vds=0.1V偏压下的曲线：Ids vs. Vgs 2.提取器件参数，例如Vt，Beta和Theta 3.产生不同的Vgs偏置情况下的Id vs. Vds 曲线簇 ATLAS 电学特性 输入：Go altas ATLAS 电学特性 MESH prev|new [output] 语法： mesh inf=mos1ex02_0.str 设置模型： 对于简单的MOS仿真，推荐使用CVT和SRH。 SRH是Shockley Read Hall复合模型，而CVT模型是来自于Lombardia的反型层模型。 CVT模型设置了通用的迁移率模型，包括了浓度、温度、平行电场和横向电场的影响。 ATLAS 电学特性 ATLAS 电学特性 设置模型： contact Workfunction Parameters Boundary Conditions Contact Parasitics Electrode Linking Parameters ATLAS 电学特性 进一步详细的关于这些模型的信息，可以参看文档： ATLAS User’s Manual Volume I CONTACT NUMBER=n|NAME=ename|ALL [wfp] [bc] [lcr] [link] 设置模型： interface ATLAS 电学特性 进一步详细的关于这些模型的信息，可以参看文档： ATLAS User’s Manual Volume I INTERFACE [params] Boundary Condition Parameters Position Parameters 数值计算方法命令集： 对于半导体器件问题，有几种不同的方法可以使用。对于MOS结构来说，可以使用非耦合的GUMMEL法和耦合的NEWTON法。简单地说，gummel法将对每个未知量轮流求解，同时保持其他变量不变，不断重复这个过程，直到得到稳定的解。而Newton法将会对整个系统的所有未知量一起求解。 输入： method newton ATLAS 电学特性 求解命令集： ATLAS 电学特性 在这个命令接中，将包括： 1.“Log”命令，用来存储log文件，这个文件包括了ATLAS所计算的所用的终端特性。 2.“Solve”命令，不同偏置条件下的求解。 3.“Load”命令，载入求解的文件。 Ids vs. Vgs tonyplot ATLAS 电学特性 tonyplot 对应的编辑菜单 ATLAS 电学特性 在图形上点击右键 提取器件参数 ATLAS 电学特性 Beta is the transconductance coefficient THETA is the Vgs dependence on mobility Ids vs.Vds ATLAS 电学特性 Ids vs.Vds ATLAS 电学特性 构造器件的步骤： 1. 构建网格 2. 定义区域 3. 定义电极 4. 掺杂分布 5. 保存结构文件 ATLAS 器件构造 1. 构建网格 ATLAS 器件构造 2. 定义区域 ATLAS 器件构造 REGION NUMBER=n material [position] Material parameter: SILICON, GAAS, POLYSILI, GERMAINU, SIC, SEMICOND, SIGE, ALGAAS, A-SILICO DIAMOND, HGCDTE, INAS, INGAAS, INP, S.OXIDE, ZNSE, ZNTE, ALINAS, GAASP, INGAP and MINASP. Position parameter： X.MIN, X.MAX, Y.MIN, and Y.MAX （Z.MAX, Z.MIN for 3D） 3. 定义电极 ATLAS 器件构造 ELECTRODE NAME=en [NUMBER=n] [SUBSTRATE] pos reg 4. 掺杂分布 ATLAS 器件构造 DOPING distribution_type dop