功率二极管.ppt

第二章 功率二极管  第二章 功率二极管  2.1 PN结 2.2 功率二极管的工作原理 2.3 功率二极管的基本特性 2.4 功率二极管的主要参数 2.5 功率二极管的主要类型 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结。 造成电力二极管和信息电子电路中的普通二极管区别的一些因素： 正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略。 引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响。 承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。 为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大。 2.3 功率二极管的基本特性 静态特性--主要指其伏安特性 动态特性 ——二极管的电压-电流特性 随时间变化的 ——结电容的存在 正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个固定值。 正向恢复时间tfr。 电流上升率越大，UFP越高 。 2.4 功率二极管的主要参数 1. 正向平均电流IF 在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略。 2.4 功率二极管的主要参数 2. 正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降 3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3 使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定 2.4 功率二极管的主要参数 4. 最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 5. 反向恢复时间trr trr= td+ tf ，关断过程中，电流降到零起到恢复反向阻断能力为止的时间。 2.5 功率二极管的主要类型 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的分为几类。 在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管。 性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的。 功率二极管的主要类型 1. 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode）； 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中，工作频率较低； 其反向恢复时间较长，一般在25?s左右，这在开关频率不高时并不重要； 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。 功率二极管的主要类型 2. 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode——FRD） 功率二极管的主要类型 2. 快恢复二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管。 20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用。它适用于较低输出电压和要求较低正向管压降的换流器电路中。 肖特基功率二极管结构 利用金属与半导体之间的势垒制成的二极管 特性 不存在少数载流子和电荷存储的问题 低导通电压，短开关时间； 反向漏电流大，阻断电压低。 应用 适合于高频低压应用 肖特基二极管的弱点 当反向势垒比较薄，极易发生反向击穿，故反向电压比较低，因此多用于200V以下； 反向漏电流较大且对温度敏感 具有负温度系数，不适于直接并联使用，容易烧坏。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns）； 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲； 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 开关损耗、通态损耗都比快速二极管小，效率高 。 砷化镓功率二极管 第二代的化合物半导体。与第一代硅半导体相比，有利于在较高温度下工作；有利于器件小型化。但是，工作电压低于600V。 碳化硅功率二极管 第三代的宽禁带半导体。热传导率约是硅的3倍，更适合于高温应用；碳化硅临界电场强度是硅材料的10倍，更适合于高压应用。碳化硅肖特基功率二极管结电容很小，基本没有反向恢复电流，开关损耗很低。 * Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。 AC/DC——整流 DC/AC——逆变 +5 +4 +4 +4 +4 +4 电子