温度对多晶硅太阳电池性能影响的研究.docVIP

温度对多晶硅太阳电池性能影响的研究 贺炜1，郭爱娟，，冯仕猛（.上海交通大学太阳能研究所，上海 200240；.上海风光能源科技有限公司，上海 20）对商业用冶金级和太阳能级多晶硅太阳电池不同温度下的性能参数做了分析，验证了太阳能级硅电池的性能优势。实验结果表明，随着温度T的升高，开路电压Voc，最大输出功率Pm，转换效率η近似线性下降，短路电流Isc近似线性上升，填充因子FF的实验值和理论值变化趋势一致，当T40°C时，FF随T升高明显下降。对开路电压Voc随温度T升高的线性下降速率dVoc/dT进行定量分析。dIsc/dT变化量与dVoc/dT相比可以忽略。 太阳电池；多晶硅；；温度TM615 文献标识码：A 0 引言硅太阳电池可靠性高、寿命长、能承受各种环境变化等优点，成为太阳电池的主要品种，而多晶硅材料以浇铸代替了单晶硅的拉制过程，生产时间缩短，成本下降，是一种较廉价的太阳电池材料。Arora等研究表明，在低温区域（100250K）内，多晶硅电池的Rs比单晶硅电池的Rs随温度得更快。Deshmukh发现理想因子n随下降。Soto等给出了一个五参数模型使用制造商提供的参数，吸收的太阳光辐射和电池温度，结合半经验公式来预测I-V曲线。本文通过实验测得不同温度下多晶硅太阳电池单体和组件的各项性能参数，具体分析了各参数随温度的变化关系及相互之间的影响。1 实验 本实验的样品选用冶金级（纯度为95％～99％）多晶硅太阳电池和太阳能级（在99. 99999％以上）多晶硅电池面积为1mm×156mm。实验所用的小型组件分别由10片这电池串联而成。太阳电池单体及组件性能参数测试仪器采用秦皇岛博硕光电设备有限公司生产的太阳能电池测试仪。 在AM1.5，温度为25°C，分别测试电池单体和组件的性能参数，包括开路电压Voc，短路电流Isc，最大输出功率Pm，最大功率点电压Vm，最大功率点电流Im，填充因子FF，以及电池单体的串联电阻Rs、并联电阻Rsh和转换效率η。将样品加热至65°C左右，在降温过程中用红外测温仪监测样品温度，同时用太阳能电池测试仪测量样品的性能参数。 2 结果与讨论2.1 Isc、Voc随温度T的变化根据禁带宽度与温度的关系4, 5] (1) 温度升高，禁带宽度减小，光吸收增加，短路电流Isc也随之上升。由和之间的关系可推出Isc随温度的变化率dIsc/dT6] (2) (3) 式中，A与温度无关的常数Eg0——用线性外推方法得到的零度时制造太阳电池所用半导体材料的禁带宽度，Eg0~1.2eV；kBoltzman常数；r包含确定I0的其余参数中温度有关的，通常在1~4范围内；T电池温度；q电子电量。理论上，dIsc/dT与公式的其他项相比可以忽略。 在忽略dIsc/dT的情况下，dVoc/dT记作6]： (4) 对于由10片电池组成的小型实验组件，表1 电池单体和组件dVoc/dT与dIsc/dT的比较 Table1 Comparison between dVoc/dT and dIsc/dT of both solar cells and modules 单体单体 组件 组件 Voc/mV 618.2 620.9 6119 6104 /mV·°C-1 -3.13 -2.85 -20.20 -19.40 /°C-1 0.51% 0.46% 0.33% 0.32% Isc/mA 6436.9 7670.5 7948 9253 /mA·°C-1 12.19 5.61 7.41 3.43 /°C-1 0.12% 0.07% 0.09% 0.04% 表1给出了标准测试条件下测得的电池单体和组件的VocIsc，以及用Minitab软件对各温度下测得的Voc、Isc线性拟合所得到的dIsc/dT和dVoc/dT值，并计算dVoc/dT和dIsc/dT与标准测试条件下Voc、Isc的比值由表1可以看出，温度升高导致Voc下降，Isc升高。由于冶金级硅比太阳级硅的杂质、缺陷含量高，电池的Voc和Isc随温度的改变比电池剧烈。对于电池单体，虽然dVoc/dT的绝对值比dIsc/dT小，但是dVoc/dT占Voc的百分比要大于dIsc/dT占Isc的百分比，也就是说Isc随温度的上升量与Voc随温度的下降量相比可以忽略。同样对于组件，dIsc/dTdVoc/dT相比也可以忽略。 将g0~1.2V，r~3，1.38×10-23