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Bi掺杂BaTiO。陶瓷缺陷性质的第一性原理研究／张文芹等 ·127 · Bi掺杂 BaTiO3陶瓷缺陷性质的第一性原理研究 张文芹，黄雪琛 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070) 摘要 采用第一性原理计算了Bi掺杂BaTiO。陶瓷3种不同的晶格缺陷结构，分别为单独的BiBa掺杂缺陷模 式 (BTB模型)，1个BiBa掺杂缺陷与 1个VBa钡空位同时存在 (BTB1模型)，符合化学计量比的BiBa掺杂缺陷与VBa钡 空位缺陷模式(BTB2模型)。BTB模型显示缺陷结构是由施主掺杂机制控制的， 与周围的0原子形成典型的离 子键，Ti件被还原成Ti 。在BTB1模型中钡空位的存在则影响了Bi在晶格中与0的相互作用，Bi偏离初始的中 心位置，与邻近的3个氧原子形成了弱的共价键 ，而正是 由于这些弱的共价键导致缺陷附近的[Ti06]八面体产生较 大畸变，削弱了T 的极化能力，使缺陷附近的[TiO。]八面体极化能力减弱，此时缺陷结构是由Ba”离子空位补偿 机制控制的。而BTB2模型可以看成是BTB模型与BTB1模型的叠加，因此缺陷结构是 由施主掺杂机制与Ba抖离 子空位补偿机制共 同控制的。 关键词 BaTiO3 缺陷结构 空位补偿机制 施主掺杂机制 中图分类号：TB321 文献标识码：A DOI：10．I1896／j．issn．1005—023X．2014．18．031 FirstPrincipleStudyofDefectPropertiesofBi—dopedBaTiO3 ZHANGW enqin．HUANG Xuechen (StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologyforCompositeMaterials，WuhanUniversityofTechnology，Wuhan430070) Abstract A densityfunctionalplane-wavepseudopotentia1methodwasusedtostudythedefectstructureofBi— dopedBaTiO3compounds．ThreemodelsofsingleBim impurity(BTB)，aBiBaimpurityandaVB．vacancycoexisted (BTB1)，BiBaimpurityandVBavacancycoexistedwhichconformstothestoichiometricratio(BTB2)，werepresented． InBTBmodel，Bi＆impurityischargedbydonordopingmechanisnaBiformsionicbondwithnearbyOatom andpart ofTi1。isreduced intoTi0+．However，B．a vacancycompensationmechanism presentsinBTB1mode1．Biforms threevalencebondswithnearbyO atomsinBTB1model，whichcauseslargestructuredistortionandweakeningofpo一 1arizationTi ．TheBTB2modelcanbeseenasasuperpositionofBTB modelandBTB1model，sothedefectstruc— tureiscontrolledbydonordopingmechanism andBa ionvacancycompensationmechanism． Keywords BaTiOa，defectstructure，vacancycompensationmechanism ，donordopingmechanism 陶瓷中引入一定量的Bi来取代铅 以