过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状.pdfVIP

过渡金属掺杂Zno稀磁半导体分析技术的研究现状 ／王古平 ·351 · 过渡金属掺杂 ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状 王 古平 (台州学院物理与电子工程学院，台州 318000) 摘要 过渡金属 (TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体 (DMSs)的报道很 多，但其铁磁性是否有微量磁性 TM原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂 ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法，着重分析了元素特征分析技术在过渡金属掺杂ZnO中的应用。 关键词 ZnO 稀磁半导体 本征铁磁性 分析技术 TM掺杂 CurrentResearchStateofAnalysisTechnologyofTM—dopedZnO-basedDMSs WANG Guping (CollegeofPhysicsandElectronicsEngineering，TaizhouUniversity，Taizhou318000) Abstrate FerromagneticZnO-baseddilutedmagneticsemiconductors(DMSs)bytransitionmetal—dopinghas beenreportedinmanyliteratures．However，whethertherearemagneticcontributionsfrom somemierocontentmag— neticTM atomsclusterorsecondaryphaseisstilldebated．Basedonmeasuringofmagneticpropertiesandexclusionof TM atomsclusterandthesecondphase，sometypicaltechniquesusedtoverifytheintrinsicferromagneticofTM- dopedZnODMSshavebeenreviewedandelementspecificanalysismethodsarediscussedemphatically． Keywords ZnO，DMSs，intrinsicferromagnetic，analysistechnology，TM-doped 相关 。从已有的文献报道看 ，本征铁磁性 TM掺杂 ZnO的 O 引言 检证方法不同，没有一致的标准，所 以有必要对 TM 掺杂 稀磁半导体(DMss)是同时具有铁磁性和半导体特性的 ZnO的检测技术进行分析总结。 材料_I】]，通常为少量的过渡金属 (TM)离子替代阳离子位置 本文综述了TM掺杂 ZnODMSs本征铁磁性检证常用 的半导体材料 ，TM元素均匀分散于基材中且没有金属原子 的检测技术与手段 ，重点分析了元素特征分析技术在TM掺 团聚和第二相析出l2J。DMSs材料同时利用电子 的电荷属性 杂 ZnODMSs铁磁本征性检证 中的应用，探讨 了TM掺杂 和 自旋属性，在低功耗和高集成度的集成 电路、非易失性存 ZnODMSs铁磁本征性的检测标准。 储器以及量子计算机等领域具有广阔的应用前景，因此成为 1 掺杂 ZnO系统的磁性检测手段 研究的热点3“]。研究DMSs材料的 目标是提高居里温度和 阻止磁性第二相的析出。(Ga，Mn)AsDMSs被认为是最有 物质的磁性包括抗磁性、铁磁性、顺磁性、反铁磁性、自 希望在 自旋电子器件得到应用的，据报道其居里温度仅为 旋玻璃态等几种形态 。图1为TM掺杂 ZnO系统的铁磁性 173K[，且 固溶度不高[63，