基于苯并三噻吩的聚合物半导体材料的合成及性能研究.pdfVIP

· 240 · 材料导报 2014年 11月第 28卷专辑 24 基于苯并三噻吩的聚合物半导体材料的合成及性能研究 李 朋 。，郭景华 。，张国兵 ，吕国强。 (1 合肥工业大学化学与化工学院，合肥 230009；2 合肥工业大学光电技术研究院，合肥 2300O9) 摘要 通过 Stille交叉偶联反应合成了一种新型苯并 [1，2-b：3，4-b：一5，6-d]三噻吩(BTT)与联二噻吩(1vr) 的共轭聚合物(P肝 1vr)，研究了聚合物P肝 1vr的热性能、光学性能和电化学性能。PB1、1_一1vr具有 良好的热 稳定性，热分解温度达到 403℃；薄膜的最大吸收峰位于 536nm，光学带隙为 1．91eV；电化学研究表明聚合物具有 较低的最高已占分子轨道能级 (H0MO，一5．2eV)。在以聚合物 PBTT-TT作为半导体制备的有机薄膜晶体管中， PBTT-TT的空穴迁移率可达 3．36×10 cm ／(V ·s)。 关键词 苯并三噻吩 共轭聚合物 有机薄膜晶体管 中图分类号：T1384 文献标识号：A SynthesisandPropertiesofBenzotrithiophene-basedSemiconductorPolymer LIPeng ，GUOJinghua ，ZHANGGuobing，LU Guoqiang (1 SchoolofChemistryandChemicalEngineering，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009；2 Academyof PhotoelectricTechnology，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009) Abstract Anewconjugatedpolymer(PBTT-TT)basedonbenzol1，2一b：3，4-b：5，6-d]trithiophene(BTT) and2-2-bithiophene(TT)unitsweresynthesizedbyaStillecross—couplingreaction Thethermal，opticalandelectro ． chemicalpropertieswereinvestigated．P r_TT showedgoodthermalstabilitywithathermaldecompositiontempe- ratureat403℃ displayedonemaMmum absorptionat536ELm withtheopticalbandgapof1．91eV。hadadeepHO— MO energylevelof一 5．2eV．TheOTFTsdevicesbasedonPElTT TT exhibitedholemobilitiesashighas3．36× 10 cm2／(V ·s)． Keywords benzotrithiophene，conjugatedpolymer，organicthinfilm transistor 有机薄膜晶体管是利用改变外加 电场来控制有机材料 鉴于以上 BTT单元的优点，本工作合成一种基于BTT 导电能力的有源器件，它是有机集成电路的核心部件。近年 单元和联二噻吩单元的共轭聚合物 ，为了保证聚合物 的溶解 来 ，随着人们对有机半导体材料的深入研究，可作为有机薄 性 ，在 BTT单元上引入了烷基支链 ，同时在联二噻吩单元上 膜晶体管(OTFTs)半导体层材料的种类也越来越多。其中， 也引入了烷基直链 。通过 Stille交叉偶联反应，合成了新的 以共轭聚合物为基础 的 OTFTs，因具有质量轻 、成本低 、制