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强流脉冲离子束辐照效应的数值模拟研究进展／丰新宇等 强流脉冲离子束辐照效应 的数值模拟研究进展 丰新宇，张 罡 沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室 ，沈阳110168 摘要 强流脉冲离子束 HIPIB 作为一种新型的表面改性技术在表面工程领域具有广阔的应用前景。综述了 计算机模拟HIPIB辐照效应的国内外研 究进展，对不同类型辐照效应的模拟结果进行了系统分析，为进一步探 索 HIPIB的辐照机理提供了参考依据。 关键词 强流脉冲离子束 HIPIB辐照效应 数值模拟 Research ProgressinNumericalStudyofEffectsResultingfrom HIPIB Irradiation FENG Xinyu．ZHANG Gang Sino-RussiaJointLaboratoryforHighEnergyBeam，ShenyangLigongUniversity，Shenyang110168 Abstract Highintensitypulsedionbeam HIPIB ，anew technologyofsurfacemodification，showspromising applicationsinsurfaceengineering．Inthispaper，thesimulationresultsofdifferenteffectsofHIPIB irradiationarere— viewedandanalyzed，whichcanbereferencesforfurtherstudyofthemechanismsofHIPIB． Keywords HIPIB，effectsresultingfrom HIPIB irradiation，numericalstudy 方面的阻止： 1 载能离子与作为整体的固体原子的弹性碰撞 0 引言 称为核阻止，其可造成载能离子的能量减损及运动方向的改变， 强流脉冲离子束 Highintensitypulsedionbeam，HIPIB 从而产生级联碰撞，沉积大量的能量； 2 核外电子与在原子间 是 2O世纪7O年代中期在惯性约束核聚变和高能量密度物理研 运动的电子构成的电子云的阻止称为电子阻止，其可使电子激 究的基础上发展起来的。20年前 Hodgson将 HIPIB用于离子 发或电离，并造成载能离子动能的减损 [4]。 注入半导体退火研究，提出了将注入与退火合成一步工艺的可 张通和等[5]计算出一些轻离子注入钢中的射程R。和统计 能性_】]，随后逐步探索了HIPIB在其它材料领域的应用。 偏差 △R。，如表 1所示。 HIPIB在材料表面瞬间实现高能量密度 1～100J／cm 沉 表 1 H 、C 注入钢中的射程 Rp和统计偏差AR 积，使表面急剧升温 10。～1O“14／s ，发生熔融、蒸发 ／烧蚀、激发 Table1 IonrangeofH ，C insteelandthe 等离子体气团，并对靶材产生冲击波，然后以极高的速度 10～ statisticaldiscrepancies 10。K／s 冷却。这种辐射使材料表面形态、结晶状态和晶体结 构以及化学成分发生变化，从 而导致材料表面各种性能的改 变 。HIPIB的这些特性使其在材料表面改性方面具有广阔的 应用前景。 辐照作用时间极短 脉冲宽度几十纳秒 、功率密度高 1～ 100J／cm2 是 HIPIB的显 著特点 ，因此在 目前技术条件 下对 HIPIB辐照作用进行实时实验研究存在很大的困难。有着安 全、高效和低成本等特点的计算机数值模拟方法已成为研究 HIPIB辐照机理的重要手段_3]。本文综述了计算机模拟HIPIB 辐照效应的研究进展 ，为进一步探索 HIPIB的作用机理创造条 件 。 由泳等E采用 TRIM 程序计算了单一能量 H 、C 注入 Ti 1 模拟结果与讨论 靶的浓度一深度分布。能量分别为 100keV、300keV、450keV的 1．1 离子射程与能量分布 10000个 H 和 C 分别入射到有足够厚度 Ti靶的浓度一深度分 HIPIB辐照靶材实质上是通过载能离子与固体表面之间 布 曲线如图1所示。H 的射程 比较长，可以进入靶材表面下 的相互作用来实现的。载能离子以一定 的初始能量入射到固 的较深层，而同样能量的C 则只能进入靶材的较浅层。C 的 体表面时，将与固体中的粒子发生一系列碰撞。其运动受到2 能量主要沉积在靶材表面，而 H 的能量则沉积在更深的部位。 *国家科技部 国际合作项 目 2004DFA4800 丰新宇：男，硕士研究生，从事强流脉冲离子束表面改性研究 E-mail：real—s