ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展.pdfVIP

· 212 · 材料导报 2011年5月第25卷专辑 17 ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展 封 皓，陈敬超 ，周晓龙 (昆明理工大学材料科学与工程学院，昆明650093) 摘要 主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺，例举 了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。 指出今后 ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点，新形态 ITO材料的研发将成为主要发展方向。 关键词 ITO 气敏材料 制备工艺 掺杂优化 气敏机理 掺杂机理 新形态 ResearchProgressofthePreparationandDopingTechnology OfITO GasSensitiveM aterials FENG Hao，CHENJingchao，ZHOU Xiaolong (FacultyofMaterialsScienceandEngineering，KunmingUniversityofScienceand Technology，Kunming650093) Abstract ThepreparationanddopingtechnologyofITO thinfilmsarereviewed，twoinferencesofthesensi— tivemechanism ofITO andthemechanism ofdopingtechnologyareenumerated．Finallyitispointedoutthatthesensi— tivemechanism ofITO willbetheresearchfocus。andthemaindirectionofdevelopmentwillbethenew form ofIT0． Keywords ITO，gassensitivematerials，preparation technology，doping technology，sensitivemechanism， dopingmechanism，new form 由于现代工业急速发展，有毒或可燃气体排放量剧增， 压压成大块陶瓷坯体后，可直接在0．1～0．9MPa纯氧环境 对环境及人们的健康造成了极大威胁，因而对气敏材料的性 中用 1500~1600℃高温烧结制得理论密度达 95 的陶瓷 能提出了更高的要求。氧化铟锡(ITO)是氧化铟掺氧化锡的 靶，RXYQ-16—55高温高氧烧结炉 已由浙江长兴益丰特种陶 复合材料(通常m(氧化铟)： (氧化锡)一9：1)，因其具有 瓷窑业有限公司研制成功，该炉定型设计后有望工业批量生 灵敏度高、结构简单、体积小、质轻、坚固耐用、对有毒气体有 产，为我国ITO陶瓷靶国产化打下了基础_5])亦或两者兼用 高阻抗、输出信号大和成本低等优点而受到广泛关注。目前 的成型方法将 ITO粉末压制成初坯；初坯置于不锈钢包套 虽然有大量的ITO气敏材料投入市场，但 由于其性能需要改 中，并在两者之间辅以隔离材料，而后对包套抽真空并封 口； 进，且气敏机理尚未明确，所以人们对其研究热情方兴未艾。 置于热等静压炉中进行热等静压 (温度 800 1050℃ ，压力 50~200MPa，时间2~6h)制备出ITO靶材。热等静压法制 1 制备方法 备靶材不易发生还原，制得的产品密度极高，可获得极好的 ITO气敏材料分为烧结型、厚膜型和薄膜型[I]，多以薄 物理力学性能。采用热等静压法，日本东曹公司制得的ITO 膜形式出现。目前制作 IT0薄膜应用最广泛的方法是磁控 靶材的致密度为 90 ～1