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材料导报
维普资讯
聚焦离子束研磨Au～Ti—GaAs薄膜引起损伤的研究／谭勇文等 ·75 ·
聚焦离子束研磨 Au—Ti—GaAs薄膜引起损伤的研究
谭勇文 ，徐天伟 ，谢雪冰 ，杨卫国 ，杨 海
(1 云南师范大学物理系，昆明650092；2 云南师范大学计算机系，昆明 650092)
摘要 通过分析纳米孔的透射电子显微镜(TEM)截面图像和蒙特卡罗理论模拟，研究了聚焦离子束(FIB)研
磨A Ti—GaAs薄膜的基本性能。应用蒙特卡罗方法模拟 FIB研磨三层薄膜的损伤深度与离子能量大小的关系，由
于材料不同的阻止本领和晶体结构等因素对损伤深度的影响，随着离子能量的增大，损伤深度并非线性增加。同时，
溅射物质的重沉积也影响着纳米孔的形貌，对此也作了系统的分析和探讨。
关键词 聚焦离子束 非晶层 蒙特卡罗方法 光电子器件
InvestigationofDamageInducedinFocused IonBema
M illingofAu-Ti—GaAsThinFilms
TAN Yongwen ，XU Tianwei，XIE Xuebing ，YANGW eiguo ，YANG Hai
(1 DepartmentofPhysics，YunnanNormalUniversity，Kunming650092；2 De partmentofComputer，
YunnanNormalUniversity，Kunming650092)
Abstract Thefundamentalpropertiesoffocusedionbeam(FIB)millingAu-Ti—GaAsthinfilmsareinvestiga—
tedbythedetaileelanalysisofthecross-sectionaltransmissionelectronmicroscope(TEM )imagesofnanoholesandsim—
ulationofMonteCarlotheory．ThestructuraldamageofthedevicebyFIBirradiationiSstudied，and thevariationsin
thedepthofdamagedlayerinFIBmillingofthree-layerthinfilmswithionenergyaresimulatedbytheMonteCarlo
method．Thedepthofdamagedlayerindifferentmaterialsisinfluencedbytheirstoppingpowerandcrystalstructure，
etc．W iththegrowthofionenergy，thedepthofdamagedlayerinmaterialsdoesnotincreaselinearly．Thetopo graphyof
nanoholeiSinfluencedbytherde epo sitionofsputteredmaterialsandamorphizationofmateria1．Thepo ssiblecausesof
theseresultsarealsodiscussed．
Keywords focusedionbaem，amorphouslayer，MonteCarlomethod，optoelectronicdevice
具有一定的能量，因而很可能在被真空系统抽走之前撞击纳米
0 引言
孔表面。这些粒子撞击孔 内表面后，一部分重新沉积到样
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