Si掺杂锐钛矿相TiO2的电子能带结构.pdfVIP

第18卷第6期 VOI ．18 No 。6 2012年 12月 祭 № 中 咖 国吣 粉删 体姒 枝M术刚 № 洲 D∞．2012 do i ：10．3 969 i ．i ssn ．100 8- 5548．2012 ．06 ．00 8 Si 掺 杂 锐 钛 矿 相 Ti 02的 电 子 能 带 结 构 郑树凯 ““，吴 国浩 “6 ，王 芳钆6， 刘 磊8，6 河北大学a ．电子信息工程学院；b ．计算材料研究中心，河北保定07 1002 摘要：利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对Si 掺杂前、后锐钛 基 ·OH与吸附在Ti O：表面的有机或无机污染物发生 矿相Ti 02 的电子能带结构、电子态密度 以及吸收光谱进行计算。结果表 反应使其降解，最终产物为CO：和H20，从而达到消 明，Si 掺杂导致锐钛矿相Ti 02 的禁带宽度略增大0 ．048 eV：掺杂前锐钛 除污染净化环境的目的。虽然相对于其他半导体氧化 矿相Ti 02的价带和导带主要 由0的2p和Ti 的3d轨道构成，Si 掺杂后 其价带和 导带主要由si 的3p 、Ti 的4s 和Ti 的3d轨道构成；Si 掺杂可 物，Ti O：的光催化能力较强，但是其光催化活性仍需 导致锐钛矿相Ti 02 的吸收边蓝移。 进一步增强 。研究表 明，掺杂金属或非金属离子是一 关键词 ：密度泛函理论；锐钛矿；电子 能带 种有效提高Ti O：光催化活性的方法M。例如，李爱 昌 中图分类号：TGl 4 6 ．4 文献标志码：A 等[ 61利用恒电流复合 电沉积法制备 Ni —Mo 一Ti 02纳米 文章编 号：1008—554 8 2012 J 06 一00 36一03 薄膜并研究其光催化 降解罗丹 明B的性能，发现不仅 在可见光下，而且在紫外光下 Ni —Mo - Ti O：纳米薄膜 El ec r oni c Ener gy Band S r uc ur e of 的光催化活性均比P25型Ti O：的高，这是 因为薄膜样 Si Doped Ana ase Ti 02 品中可 以有效形成 Ni —Mo 一Ti O：异质结的结构，这种 结构可 以促使光生电荷的分离，加速O：与激发 电子 ZHENGShuka i 4一，形U Guo ha08 ，一 ， 的还原反应，从而提高 Ni —Mo 一Ti O：纳米薄膜 的光催 WA Lei 8，6 NG Fang ，v ．LI U 化活性。Chai 等[ 71在超高真空中利用氮化技术对金红 a ．Co l l ege of El e c r oni c and I n f or ma i on En gi n eer i ng ；b ．Rese ar c h Ce n er 石相Ti O：进行N掺杂研究，发现样 品中N取代0 的 f or Compu a i ona l Ma er i a l s ，Heb ei Uni ver si y ，Ban di n 座机电话号码 ，Chi na 位置并形成Ti —N键，Ti O：的价带随掺杂N的含量 明 Al 袖me ：The el ec r oni c e ner gy band s r i c ur es ，el ec r o ni c den si y of 显改变，有效减小了Ti O：的禁带宽度，扩展了Ti O：的 s a e s and ab sor p i on spec a of ana ase Ti 02 be f or e and al er Si dopi ng 光响应范围，可以推测 ，N掺杂能够有效提高Ti O：的 wer e cal cu l a ed u si ng f i r s - pr i ncipl e s b as ed on he den si y f unc i onal 光催化活性 。李纲等 圈采用水热合成法制备 了si 掺杂 h eor y．Th e r esul s i ndi ca e ha he band gap of an a a se Ti 02 i s en l ar ge d 的Ti O：空心微球，在紫外光源照射下考察了样品对亚 a bou 0 ．048 eV Si va l enc e band and conduc i on band of by dop i ng ．Th e 甲基蓝溶液的光催化降解活性，发现Si 的摩尔分数为 ana aso Ti ol bef or e Si dopi ng ar e ma i nl y compos ed of O2p and Ti 3d or bi al s ．Af e r S