基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理.pdfVIP

第 58 卷 第 8 期 2009 年 8 月 物 　理 　学 　报 Vol. 58 ,No. 8 ,August ,2009 ( ) 10003290200958 08 570005 ACTA PHYSICA SINICA 2009 Chin. Phys. Soc. 基于电容和电导特性分析 Ga N 蓝光 发光二极管老化机理 陈焕庭 　吕毅军 　陈 　忠 　张海兵 　高玉琳 　陈国龙 ( 厦门大学物理系 ,福建省半导体照明工程技术研究中心 ,厦门　361005) ( ) 2008 年 9 月 7 日收到;2009 年 1 月 21 日收到修改稿 ( ) 　　采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后 GaN 发光二极管 LED 的电容电压特性,结合串联电阻、理想 因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况. 基于 LV 曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后 样管的受主浓度降低 ,辐射复合概率下降 ,大量缺陷以及非辐射复合中心出现 ,对载流子俘获作用增强 ,造成负电 容降低. 反向偏压以及小正向偏压下 ,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大 ;正向偏压大于 22 V 区域 ,考虑串联 电阻效应,老化后样管电导减小. 在分析LED 电容电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证 以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED 老化特性的参考依据. 关键词 : GaN 发光二极管 ,负电容 , 电导,老化机理 PACC : 7280E , 7340E ,7360J ,7865J 化前后 GaN LED 的电容电压特性进行了测试和分 1 引 言 析 ,观察经过老化之后负电容、电导变化情况 ,并结 合 IV ,L V 曲线对其物理机制进行了理论分析和实 ( ) 很多研究已经证实 ,发光二极管 LED 在老化 验论证. 过程中将导致芯片、封装、荧光粉区域失效[1 —3 ] . LED 老化实验条件普遍为施加电应力、热应力 , 由于不同 2 实 验 材料热膨胀系数之间差异和缺陷生长 ,导致LED 光 通量的衰减[4 ] ,主要的老化机理包括暗点缺陷、金属 样品采用金属合金衬底 GaN LED ,该样品芯片 合金迁移、组分变化等[5 —7 ] . 国内外不同的研究小组 制作工艺大致如下 :通过金属反射层以及 nGaN 表 从各个角度定性地解释了半导体中负电容现象. 面粗化工艺增加出光率 ,n 电极直接制作在 nGaN [8 ] Wu 等 提出双能级的简化模型 ,指出由于碰撞电离 顶端 ,保证有源层完整性 , 与传统蓝宝石衬底 LED 而使费米能级以下的占据界面电荷消失是造成二极 相比 , 具有更优越的出光能力. 金属合金衬底 LED