444三氟14间三联苯基13丁二酮邻菲咯啉铕Ⅲ配合物的合成与发光.pdfVIP

第30卷，第3期 光谱学与光谱分析 V01．30，No．3，pp612—615 201 and 0年3月 SpectralAnalysis March，2010 Spectroscopy 4，4，4一三氟一1一(4’一间三联苯基)一1，3一丁二酮邻菲咯啉铕(Ⅲ) 配合物的合成与发光 刘生桂1’2，林城右1，王慧慧1，何沛1，龚孟濂1 1．中山大学化学与化学工程学院，广东广州510275 2．湛江师范学院化学科学与技术学院，广东高校新树料工程技术开发中心，广东湛江524048 啉]。采用元素分析，红外光谱，质谱埘该配合物的结构进行了表征。该化合物在半导体InGaN芯片发_}{{的 近紫外光激发下，发ff{铕(Ⅲ)离子5D0—7乃(．，一o～4)跃迁特征红光，最大发射峰位于613ntn，发光量子效 率为13％。配合物寿命为470弘s，寿命I}}l线很好地和单指数哀减拟合曲线相l勿合。配合物热稳定性达到220 ℃，满足制备LED器件的要求。将配合物Eukphen和半导体395rim发射InGaN。el-片组合，成功地制备了 红色发光二极管。发光二极管的色坐标、发光效率、配合物和硅胶质量比相关，在配合物和硅胶质量比为 1：25时，器件色坐标为x=0．64，y=0．35，光效为0．89 lm·W～。该配合物足充当制作白光LED用的潜 在的红色发光组分。 关键词铕配合物；化学合成；荧光；发光二极管 中图分类号：0614．3文献标识码：A DOI：10．3964／j．issn．1000—0593(2010)03—0612—04 发射和激发光谱位置町以容易地通过分子设计和结构裁剪来 引 言 调控。由于天线效应作用，许多p二酮能够有效吸收近紫外 光能量传给铕(Ⅲ)离子发出明亮的铕离子特征红光。本课题 diode，LED)正在 半导体白色发光二极管(1ightemitting 组在做稀土有机配合物电致发光的研究中，发现伊二酮铕配 照明领域引起一次新的革命，与自炽灯和荧光灯相比，它具 合物可以用作LED中的红光材料【6．7]。 有发光效率高、耗电量低、使用寿命长、抗震、无t亏染等一 4，4，4一-二氟一1一(4’一间三联苯基)一1，3一丁二酮与铕离子配 nlTl 系列优点LlJ。白光LED主要通过～465InGaN蓝光发射 位具有明显的优点：(1)p二酮官能团能够有效地和铕离子 芯片和发黄绿光的YAG：Ce3+荧光粉组合获得，但这种白配位形成稳定的配合物；(2)间位对联苯基苯基幽具有合适 光由于缺少红色组分，其显色指数低，只能用于特殊照明领 的共扼结构，能够有效吸收近紫外光转移给铕离子从而敏化 域，不能用于室内普通照明Lzj。多年的研究表明，能够被蓝 铕离子发出红光；(3)它的铕配合物在蓝绿波长范围没有明 光激发的稳定红色发光材料非常稀少。由于近紫外光比监光 显吸收。本文用4，4，4一三氟一l一(4L间三联苯基)一1，3-丁二酮 激发荧光粉具有更大的光效，冈此芯片研发正朝近紫外发射 光的方向发展，目前InGaN芯片发射已经移动剑370～420 该配合物和发近紫外光InGaN芯片组合制备成红色发光二 nlTl范围。通过发射近紫外光芯片和发蓝绿红三基色荧光粉极管。 组合米获得白光是LED发展的新趋势f3]。目前常用的近