PncSiH薄膜材料研究及其在微晶硅薄膜太阳电池上的应用.pdfVIP

21世纪太阳能新技术 P-nc-Si:H薄膜材料研究及其在微晶 硅薄膜太阳电池上的应用① 朱 锋 张晓丹 赵颖 任慧志 孙 建 张德冲 熊绍珍 耿新华 天津市南开大学光电子薄膜器件研究所，天津，300071 摘要:用RF-PECVD技术，在高氢稀释率、高辉光功率条件下获得了高电导率、宽光学带隙的 P型纳米硅薄膜材料 (a=0.7S/cm,E,,,2.OeV)将这种材料应用于微晶硅薄膜太阳电池 中，其中i-Ac-Si:H由VHF-PECVD技术制备，并采用SnO,/ZnO复合透明导电极，电池结构 为:glass/SnO,/ZnO/p-nc-Si，H八-PC-Si，H/n-pcSi，H.首次获得效率r)=4.2%的微晶硅 薄膜太阳电池(V,,=O.399V,J,,=20.56mA/cm,FF=51.6%). 关健词:RF-P丫DVH哗CVD纳米硅微“硅太阳“池 Abstract:UnderhighH,dilutionandhighplasmapower,theP-nc-Si，Hthinfilmmaterials withhighconductivityandwiderEopt(a=0.7S/cm,Eopt2.OeV)wereobtainedbyRF- PECVDtechnology.Thismaterialswereusedinmicrocrystallinesiliconsolarcells,whoseI layerswasdepositedbyVHF一PECVDtechnology，andthetransparentelectrodewas SnO,/ZnOmultiple.Theconfigurationwasglass/SnO2/ZnO/p-nc-Si，H/1-pc-Si，H/n-yc- Si，H.，Theconversionefficiencywith4.2% wasachieved(Va。二0.399V,J。二 20.56mA/cm,FF=51.6%),whichwasthefirstmicrocrystallinesiliconsolarcellinChina. Keywords;RF-PECVD VHF-PECVD nanosiliconmicrocrystallinesilicon solarcell 本实验使用RF-PECVD技术，在高氢稀释情况 1 引言 下，通过调节沉积功率和B掺杂浓度，获得高电导、 宽带隙的P型纳米硅薄膜材料。将该材料应用于 在PIN型微晶硅薄膜太阳电池中，P层作为电 电池中，结合VHF-PECVD制备的本征微晶硅材 池的窗 口层，对电池性能有重要影响。P型 a- 料，制备出效率达4.2%的微晶硅薄膜太阳能电池。 Sic:H在PIN型非晶硅薄膜太阳电他中被广泛使 用。其光学带隙最大可以达到一2.OeV[，但电导 2 实验 率(a)一般只有 10-S/cm。对于微晶硅薄膜太阳 电池来说，P型a-Sic，H作窗Q材料，光学带隙可 实验中固定电极之间的距离、硅烷浓度(SC), 满足要求，但对电池内阻等的影响将不容忽略，因而 衬底温度(T,)和反应气压(尸，)，重点研究了沉积功 限制了其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用。 率(W)和掺杂剂量对本征晶化材料的性能影响。在 P型纳米硅薄膜材料的光学带隙可达到 此基础上进行掺硼实验。用Keithley617测量光暗 2,4eV，而且由于纳米硅薄膜具有较高的掺杂效率， 电流来获得材料的光暗电导率。通过XRD测试 掺杂后其室温电导率升高，可达到30^-50S/cm，载 (RigakuD/max2500)获得材料的晶粒大小以及晶 流子激活能可下降到(1-5)X10-zeV-]，是微晶 向。采用OMA(多通道光学分析仪Model1451, 硅薄膜太阳电池理想的窗口层材料。 EGG)获得材料光学带隙。采用英国Renishaw ① 本文受国家科技部重大基础研究项目