PTC热敏电阻陶瓷材料线性化机理与实验研究.pdfVIP

维普资讯 第 7卷 第4期 应 用 科 学 学 报 Voll7N1]4 1989年 10月 J0URN直L 0F APPLIED SCIB＼‘CES October，1989 PIC热敏 电阻陶瓷材料线性化 机理与实验研究 周方桥 唐大海 吴目安 陈志雄 (华中理工大学) 提 耍 从施主掺杂 BaTIO。陶瓷的晶界双 肖特基势垒模型出发，作者分析了在晶界受主卷密度相 当小的情况下， 自由电子 漂移和扩散为主的传导过程圭匀品界等效 电阻与温度的关系式，并 进行 了数筐拟台． 一 、 引 言 以BaTJO8为基的施主掺杂半导体淘瓷，是一种具有正温度系数 (PTC)效应的功能 材料．按照 PTa电阻的电阻一温度特性，大体上可归纳为 以下三种类型：1)突变型 (又称 阶跃型或 B型)；2)缓变型 (又称 A型)；3)对数线性型 (又称指数型)． 当前研究有两个方向 一是为提高定点控制的精度和可靠性，要求元件的PTG温区 尽可能地窄，电阻温度系数尽可能地犬，如各种热开关元件；另一方面是为了适用于温度 检测及补偿，要求PTO温区尽可能地宽 且温度系数趋于均匀0 ． 关于PTO效应的机理研究，在 ]~eywang提出晶界双肖特基势垒模型之后 ，Jonker 等对此模型进行了补充和修正 ，5[974年，Danie]s等对 BaTiO~中的点缺陷进行 了系统 的研究，提出了钡缺位扩散层 的理论模型 ．虽然所有这些 (包括新近发表的 ，)理论模 型都能合理地解释]~aTio。半导瓷材料中的部分物理现象或实验事实，但是由于该系列 材斟是铁 电半导体陶瓷，其铁 电性、半导体特性以及晶界特性交织在一起，使问题变得相 当复杂，以至对许多问题的认识 尚束统一或认识 尚浅．因此，挖掘它们新的性能和研究有 关机理是十分必要 的． 二、理 论 分 析 BaTiO8半导体陶瓷的电阻一温度特性的PTO 效应与材料的铁 电相变有着密切的联 系，表现为 电阻突变洫度与材料的居里温度相对应．图1是用来饵释PTG效应的晶界双 肖特摹势垒模型．由于晶界处存在受主表面态，它们 电离后将形成一个负的界面电荷层 19~,8匀：3月 28日收到，i988年8月 26日收到修改稽 本研究受医家 苣然辑学基盒资助 维普资讯 4靳 PTC热敏 电阻陶瓷材料线性化 理与实验研究 $09 而在其两侧 的n型半导化晶粒的内表面 则形成相应 的耗尽层 予是它们就产生 了关于 载流于 (电子)的晶界势垒，势垒高度可表示为 ‰ 一 (1) 式中 为有效受主表态密度 为施主掺杂 浓度；8r为材料的介 电系数． 在居里温度 以下，材料为铁 电相，由于 自 竹 j一 发极化对 的补偿，致使 婶o O；而在居里 』 温度 以上 自发极化消失，‰剧增 同时8r的 变化遵从居里一外斯定律 即 8r一币 ，使