半导体芯片银凸点微电极生长技术.pdfVIP

第3 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.23 No.3 2004 年3 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Mar. 2004 电子封装技术 半导体芯片银凸点微电极生长技术 1 1 2 3 刘剑虹 ，赵家林 ，姜世杭 ，毛根生 （1.齐齐哈尔大学材料系，黑龙江 齐齐哈尔 161006；2.扬州大学机械学院，江苏 扬州 225009；3.扬州亲亲首 饰公司，江苏 扬州 225000） 摘要:银点微电极生长技术主要用于ISS181 系列高压超高速开关二极管的电极成型，是一项制约ISS181 封装国产 化的瓶颈技术。该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电，整体控制工艺，用于 100 mm 芯片电极成型， 保证银凸点微电极高度40 ìm，误差±15% 。做到微区银点生长有效控制，大面积一致性好。在流量8 L/min，电压6.5 V，占空比10%的条件下，得到了最佳结果。 关键词:高速开关二极管；微电极；电化学沉积 中图分类号: TN405 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2004）03-0032-02 Growth Technology of Ag Boss Microelectrode on Semiconductor Chips 1 1 2 3 LIU Jian-huong , ZHAO Jia-lin , JANG Shi-hang , MAO Gen-sheng (1.Qiqiha’er University, Qiqiha’er 161006, China; 2.Yangzhou University, Yangzhou 225009, China；3. Yangzhou QinQin Co., Yangzhou 225000, China) Abstract: Growth technique of Ag boss is mainly used for forming microelectrodes of ISS181 series high voltage and cache switching diode. It is a bottleneck for the packaging ISS181 by Chinese manufacturers. A self -developed technology was used in 100 mm semiconductor chips, including independent flowing silver liquor supply technique, independent electric power supply system and integral control system. With the technogy, the acquired Ag boss microelectrodes are 40 m±15% in height, and the growth can be so controlled that the microelectrodes are uniform on rather large chips. The optimum conditions are flow 8 L/min, voltage 6.5 V and pulse-time ratio 10%. Key words : cache sw