求解三种导体构形中相对论电子形成的空间电荷限制流.pdfVIP

　第 16 卷 　第 3 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 3 　 　2004 年 3 月 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS Mar. ,2004 　 ( ) 文章编号 : 2004 求解三种导体构形中相对论电子 形成的空间电荷限制流 1 1 2 宋盛义 , 　孙承纬 , 　冯晓晖 ( 1. 中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900 ; 2. 中国工程物理研究院 科技信息中心, 四川 绵阳 621900) 　　摘 　要 : 　从 Poisson 方程及空间电荷限制流假设出发 ,推导了三种导体构形中相对论电子形成的空间电 荷流密度的一般方程 ,给出了求解方法及解的基本特征、平板形阳极空间电荷限制流的具体表达式 ,研究了同 轴圆筒形及共顶点同轴圆锥形导体空间电荷限制流关系表达式的极性效应、空间电荷密度及电场分布。 　　关键词 : 　空间电荷限制流 ; 　平板形 ; 　同轴圆筒 ; 　共顶点同轴圆锥 ; 　极性效应 　　中图分类号 : 　TL503 　　　　文献标识码 : 　A 　　研究真空二极管负载或真空磁绝缘传输线中空间电荷限制流的目的 ,主要是基于对二极管负载阳极表面 吸收的电子剂量与轫致辐射产额关系的定量考察 , 以及真空磁绝缘传输线中磁场强度与空间电荷流定量关系 的研究。尤其是在MA 级大电流机器驱动 Z 箍缩的实验中 ,真空磁绝缘线的应用相当普遍 ,磁绝缘线的设计 必须考察空间电荷限制流与磁绝缘的定量关系 ,为磁绝缘线的结构设计及参数优化提供依据。在磁绝缘线中 由于外加或自身传输电流产生的磁场,使沿电场方向运动的空间电荷限制流发生偏转 ,从而使到达阳极的空间 电荷流逐渐减小、直至变为零形成磁绝缘,因此用到达阳极的空间电荷电流与磁场之间的定量关系可以描述磁 绝缘的程度[1 ] 。因此研究一定构形和电压下的空间电荷限制流十分关键[2 ] 。 　　1911 年 Child 及 1913 年Langmuir 分别研究了关于低压条件下的阴极表面发射电流 ;1969 年 J . E. Boers 和 Dermod Kelleher 发表了求解平板构形中相对论电子的 Poisson 方程 ,给出了空间电荷限制电流密度的关系表达 式[3 ] 。在后来对二极管负载及磁绝缘的研究中大多采用了二者的研究结果。他们的推导结果似乎过于复杂、 精度不高、应用不方便 ;另外 ,有关同轴圆筒和共顶点同轴圆锥筒的空间电荷限制电流研究的文献较少。而绝 大多数真空磁绝缘线却采用这两种构形 ,如果采用平板构形的结果作近似 ,在某些时候是不合适的。文献[4 ] 推导了共顶点同轴圆锥形及圆盘形传输线的电参数计算公式 ,本文将推导平板、同轴圆筒和共顶点同轴圆锥筒 三种几何构形的空间电荷限制电流的表达式 ,并将平板构形的推导结果与文献[3 ] 的结果、以及三种构形计算 结果进行比较。 1 　基本方程 　　相对论电子速度与电势的关系为 ( 2 2 - 1/ 2 2 2 γ ) γ ( ) = 1 - v / c = 1 + eV/ mc , 　v = c 1 - 1/ 1 式中 : γ为电子的相对论因子; V 是电势; v 为电子速度; c 为光速; e , m 分别为电子的电量和静止质量。